化學氣相沉積技術
化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)是指在不改變基體材料的成分和不削弱基體材料的強度的條件下, 賦予材料表面一些特殊的性能的一種材料表面改性技術。目前, 由化學氣相沉積技術制備的材料, 不僅應用于刀具材料、耐磨耐熱耐腐蝕材料、宇航工業上的特殊復合材料、原子反應堆材料及生物醫用材料等領域, 而且被廣泛應用于制備與合成各種粉體材料、塊體材料、新晶體材料、陶瓷纖維及金剛石薄膜等。在作為大規模集成電路技術的鐵電材料、絕緣材料、磁性材料、光電子材料的薄膜制備技術方面, 更是不可或缺
1 CVD的原理和特點
1.1 CVD的原理
化學氣相沉積是把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應，并把固體產物沉積到表面生成薄膜的過程。
它包括4個主要階段:
①反應氣體向材料表面擴散；
②反應氣體吸附于材料的表面；
③在材料表面發生化學反應；
④氣態副產物脫離材料表面。
在CVD中運用適宜的反應方式選擇相應的溫度、氣體組成、濃度、壓力等參數就能得到具有特定性質的薄膜。但是薄膜的組成、結構與性能還會受到 CVD 內的輸送性質( 包括熱、質量及動量輸送) 、氣流的性質( 包括運動速度、壓力分布、氣體加熱等) 、基板種類、表面狀態、溫度分布狀態等因素的影響。因此，只有通過充分的熱力學研究，了解各種參數對析出產物組成、結構與性能的影響，才能獲得我們所希望的材料。
1.2 CVD的特點
由 CVD 技術所形成的膜層致密且均勻，膜層與基體的結合牢固，薄膜成分易控，沉積速度快，膜層質量也很穩定，些特殊膜層還具有優異的光學、熱學和電學性能，因而易于實現批量生產。但是，CVD 的沉積溫度通常很高，在 900 ℃～2000 ℃之間，容易引起零件變形和組織上的變化，從而降低機體材料的機械性能并削弱機體材料和鍍層間的結合力，基片的選擇、沉積層或所得工件的質量都受到限制。目前，VD 技術正朝著中、低溫和高真空兩個方向發展，并與等離子體、激光、超聲波等技術相結合，形成了許多新型的 CVD技術