1、外延溫度
為了引起外延，基片的溫度應達到某一溫度值，即有必要加熱到外延溫度以上，當溫度低于外延溫度時則不能引起外延。而且外延溫度還與其他條件有關，不同條件下的外延溫度是不同的。
2、基片結晶的臂開
在過去的常規研究方面，基片結晶是在大氣下臂開(機械折斷產生結晶面)而后放入真空裝置中來制取外延單晶膜。已經研究了晶面一旦臂開就立刻進行制膜的方法。由于這兩種方法不同，其外延溫度也有所不同。基片結晶在真空下臂開而引起的處延臨界溫度的不同值
3、壓力的影響
在10-3Pa真空度下，臂開的表面，在1秒鐘時間內即可被殘余氣體的單原于層所覆蓋，若在10-5~10-7Pa真空條件下臂開而立即進行蒸鍍，則外延溫度應當更進一步地降低，但實險表明，并非如此。如M和A，在高真空下進行外延蒸鍍與在超高真空下進行外延蒸鍍，其結果并沒有多少差別。然而，cu、Ag、Au在超高真空下，使(001)面同基片相平行，則很難生成單晶膜，這說明對Cu、Ag、Au進行外延蒸鍍時，基片表面還需要進行適當的污染。 [1]
4、蒸發速度影響
如果降低蒸發速度，外廷溫度Te也降低。