微波等離子體亞深微米刻蝕

利用微波電子回旋共振（ECR）可以產生高密度的等離子體，選擇不同的活性種粒分別對硅、砷化鎵等半導體，Al, Cu, W, Ti 等金屬，SiO2, Si3N4, Al2O3等無機物質和聚酰亞胺等有機物質，進行選擇性刻蝕，制備大規模集成電路的芯片。現在的刻蝕技術，主要是采用電子束或同步輻射束曝光后，用微波ECR等離子體或ICP等離子體進行亞深微米刻蝕，微波ECR等離子刻蝕精度可以達到納米級。
利用微波電子回旋共振（ECR）可以產生高密度的等離子體，選擇不同的活性種粒分別對硅、砷化鎵等半導體，Al, Cu, W, Ti 等金屬，SiO2, Si3N4, Al2O3等無機物質和聚酰亞胺等有機物質，進行選擇性刻蝕，制備大規模集成電路的芯片。
現在的刻蝕技術，主要是采用電子束或同步輻射束曝光后，用微波ECR等離子體或ICP等離子體，進行亞深微米刻蝕。微波ECR等離子刻蝕精度的可以達到納米級。
合肥宇正等離子體技術有限公司專業團隊研制的微波ECR等離子體反應刻蝕機，早在1999年經中科院等離子體物理研究所、半導體所和北大、清華等專家鑒定，刻蝕指標達到：zui大刻蝕面積：6英寸片，刻蝕線寬小于0.2微米，刻蝕速率為：多晶硅每分鐘5000埃（5000A/min），氧化硅每分鐘800埃（800A/min），氮化硅每分鐘4500埃（4500A/min）。合肥宇正等離子體技術有限公司在此基礎上正在開發應用于半導體器件生產的微波等離子裝置，如微波ＥＣＲ等離子體反應刻蝕裝置、鈍化膜制備裝置、光刻膠、去膠機等。