四極桿質譜和離子阱質譜原理對比
不論是四極桿質譜,還是離子阱質譜,其分析原理是相似的,其差別在于具體的分離過程。在離子化的過程中,待測的物質被一定能量的電子束撞擊,解離成離子,并碎裂成一系列能反映其物質性質信息的碎片離子。接下來,這些碎片離子被離子阱或四極桿分離并檢測,按照質荷比m/z的大小繪制成一張可以體現物質定性信息的質譜圖,如圖2。圖2 有機氯農藥DDT的質譜圖四極桿分析不同離子的過程類似于原始的篩選稻谷的過程,如圖3。不符合條件的稻谷(如空殼稻谷)會在篩選的過程中被風吹走,所以不會落入最終收集優質稻谷的籃子里。同理,在四極桿質譜儀中,離子化后的離子沿圖3中z軸通過四極桿,在離子的飛行過程中,我們通過射頻電壓RF和直流電壓DC產生的四極電場對離子進行操控,使得只有符合一定質荷比條件(如m/z=a)的離子才能到達四極桿另一端的檢測器,給出在該質荷比下離子的數量的檢測結果。此時如果我們按一定規則持續改變該篩選離子的條件,使得符合其他的質荷比(如m/z=b、m......閱讀全文
離子阱質譜相關簡介
離子阱質譜(ITMS)是利用高電場使質譜進樣端的毛細管柱流出的液滴帶電,在氮氣氣流的作用下,液滴溶劑蒸發,表面積縮小,表面電荷密度不斷增加,直至產生的庫侖力與液滴表面張力達到雷利極限,液滴爆裂為帶電的子液滴,這一過程不斷重復使最終的液滴非常細小呈噴霧狀,這時液滴表面的電場非常強大,使分析物離子化
離子阱質譜的應用
利用離子阱作為分析器的質譜儀稱為離子阱質譜儀。使用最多的是由高頻率電場進行離子封閉的保羅阱。由一個雙曲面截面的環形電極和上下一對端電極構成。封閉在真空池內的離子,通過高頻電壓掃描,將離子按m/z從池中引出進行檢測。? 離子阱質譜儀是一種低分辨時間可以進行msn的測定。而且價格比其它類型的串聯質譜
離子阱質譜的功能
離子阱分析器它是由環行電極和上、下兩個端蓋電極構成的三維四極場。原理:將離子儲存在阱里,然后改變電場按不同質荷比將離子推出阱外進行檢測。 功能強大 離子阱有全掃描和選擇離子掃描功能,同時具有離子儲存技術,可以選擇任一質量離子進行碰撞解離,實現二級或多級MSn分析功能。但離子阱的全掃描和選擇離
離子阱質譜的優勢
離子阱強大的定性能力,在現場分析中仍待進一步挖掘。由于離子阱質譜具備儲存離子的能力,故其可以將目標離子存儲,碰撞,并再次檢測,這就使得了單一的離子阱具有等同于三重四級桿的定性能力。由于目前還沒有便攜式的三重四級桿氣質聯用儀,故離子阱在定性方面的優勢可謂是一枝獨秀。如果能將離子阱質譜的這一優勢充分
四極桿靜電場軌道阱高分辨質譜快速篩查和確...(一)
四極桿-靜電場軌道阱高分辨質譜快速篩查和確證蔬果基質中555種農殘引言農藥殘留已成為現階段社會高度關注的熱點問題,我國國家標準《GB 2763-2012 食品安全國家標準 食品中農藥最大殘留限量》在實施不到2 年后即將被最新的2014 版所替代。新版GB 2763 比以往更加嚴格,規定了387
四極桿靜電場軌道阱高分辨質譜快速篩查和確...(二)
實驗與討論本實驗在20 分鐘液相梯度內分析了555 種農藥,使用full scan+ddms/ms 采集數據,可同時獲得目標化合物的一級質譜XIC 圖及其二級全掃描質譜圖,如圖1 所示。Q Exactive可以實現高靈敏度和高分辨率的統一,即提高分辨率不會顯著影響方法靈敏度,多數化合具有很好
離子阱質譜的性能和應用介紹
離子阱有全掃描和選擇離子掃描功能,同時具有離子儲存技術,可以選擇任一質量離子進行碰撞解離,實現二級或多級MSn分析功能。但離子阱的全掃描和選擇離子掃描的靈敏度是相似的。廣泛應用于蛋白質組學和藥物代謝分析。已經出現了很多離子阱質譜與其它分析儀器聯用的技術,如氣相色譜-離子阱質譜聯用儀(GC-ITMS)
三重四極桿質譜檢測器
三重四極桿質譜檢測器是一種用于農學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,于2017年10月23日啟用。 技術指標 質量數范圍(m/z):2-2048amu;(2)ESI正離子:2.1mm x 30mm,3.5μm C18,400μl/min,柱上50fg利血平(Reserpine),3
電噴霧四極桿飛行時間串聯質譜
液相色譜-電噴霧四極桿飛行時間串聯質譜是一種用于化學、生物學、基礎醫學、臨床醫學領域的分析儀器,于2014年1月3日啟用。 技術指標 質量精度:MS模式 2 ppm MS;MS/MS模式5 ppm 質量范圍:m/z 25-40,000 動態范圍:5個數量級 分辨率:≥20000 圖譜采集速率
布魯克推出SCION系列超高性能單四極桿和三重四極桿質譜
2011年7月18日,美國佛羅里達農殘研討會上,布魯克發布了SCION TQ? 三重四極桿和SCION SQ? 單四極桿質譜儀。該系統具有以往氣質聯用系統所無法企及的超凡性能,將極大地提高常規測試及應用領域的數據準確度和工作效率。SCION氣質聯用平臺性能卓越,
8年風雨,三重四極桿串聯質譜迎來國產質譜新時代
2019年7月10日,國家重大科學儀器設備開發專項2011年首批啟動項目——“三重四極桿串聯質譜系統的研制及其在痕量有機物分析中的應用(2011YQ060084)”綜合驗收會議在杭州舉行,來自中國科學院的柴之芳院士等專家組成了項目綜合驗收專家組,根據該項目的匯報內容進行了綜合驗收。 驗收會議由
四極桿質譜基本參數和儀器功能之間關系
四極桿質譜基本參數和儀器功能之間關系 (1)四極桿半徑r桿、桿長度L、裝置方式及安裝精度 桿半徑r桿和場半徑ro的關系為:r桿/ro=1.148.桿半徑r桿添加可進步離子傳輸率,特別對大質量數的離子具有高的傳輸效率。但桿半徑r桿添加,必須按2次方添加高頻電壓幅值和4次方添加高頻功率。 四極桿長
API-2000串聯四極桿質譜安裝準備
API 2000串聯四極桿質譜安裝準備
API-3000串聯四極桿質譜安裝準備
API 3000串聯四極桿質譜安裝準備
上海工程技術大學采購單四極桿質譜
一、項目基本情況 項目編號:1069-244Z20241324(代理機構內部編號:招案2024-1324) 項目名稱:上海工程技術大學單四極桿質譜采購項目 預算金額:80.000000 萬元(人民幣) 最高限價(如有):80.000000 萬元(人民幣) 采購需求: 合同履行期限:交
API-4000串聯四極桿質譜安裝準備
API 4000串聯四極桿質譜安裝準備 ?
Hiden推出全新的超高性能四極桿質譜
分析測試百科網訊 近日,Hiden宣布推出一臺全新的DLS-20質譜儀,將高分辨四極桿系統的標準提高到一個新的高度。 該質量過濾器的設計,基于Hiden之前三級質量過濾器技術,并將鉬質量過濾桿直徑放大了20mm,以得到超高質量分辨率和靈敏度,特別適用于低分子量物質的精確測量
氣相色譜單四極桿質譜ISQ應用(二)
3.2 方法學驗證 配制混標農殘樣品的標準曲線各點樣品, 包括1.5ppb,3ppb,6ppb,15ppb,30ppb,150ppb和300ppb,其中敵草腈和育畜磷的濃度為2.5ppb,5 p p b , 1 0 p p b , 2 5 p p b , 5 0 p p b , 2
氣相色譜單四極桿質譜ISQ應用(一)
氣相色譜單四極桿質譜ISQ同時檢測白菜和西葫蘆中66種農藥殘留量 1. 前言 近年來,食品安全問題頻繁發生,三聚氰胺奶粉,毒矼豆,染色饅頭,罌粟殼火鍋等等,件件觸目驚醒。如何保障全民的食品安全問題已經成為各級政府機構必須嚴肅正視的頭等大事。這其中提高各級監測機構的檢測能力,淘汰落后的非
三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V,V為0-3000 V 。這樣的電場環境下,離子會根據電場進行震蕩。然而,只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時,質量過小的離子會受到很大的電壓影響,從而進行非常激烈的震蕩,導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走;質量過大的離子因為不能受到足夠的電
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V,V為0-3000 V 。這樣的電場環境下,離子會根據電場進行震蕩。然而,只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時,質量過小的離子會受到很大的電壓影響,從而進行非常激烈的震蕩,導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走;質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V,V為0-3000 V 。這樣的電場環境下,離子會根據電場進行震蕩。然而,只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。 當極桿上的電壓被指定時,質量過小的離子會受到很大的電壓影響,從而進行非常激烈的震蕩,導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走;質量過大的離子因為不能受到
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V,V為0-3000 V 。這樣的電場環境下,離子會根據電場進行震蕩。然而,只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時,質量過小的離子會受到很大的電壓影響,從而進行非常激烈的震蕩,導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走;質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
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三重四級桿質譜原理
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三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V,V為0-3000 V 。這樣的電場環境下,離子會根據電場進行震蕩。然而,只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時,質量過小的離子會受到很大的電壓影響,從而進行非常激烈的震蕩,導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走;質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V,V為0-3000 V 。這樣的電場環境下,離子會根據電場進行震蕩。然而,只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時,質量過小的離子會受到很大的電壓影響,從而進行非常激烈的震蕩,導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走;質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
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三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V,V為0-3000 V 。這樣的電場環境下,離子會根據電場進行震蕩。然而,只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時,質量過小的離子會受到很大的電壓影響,從而進行非常激烈的震蕩,導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走;質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V,V為0-3000 V 。這樣的電場環境下,離子會根據電場進行震蕩。然而,只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時,質量過小的離子會受到很大的電壓影響,從而進行非常激烈的震蕩,導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走;質量過大的離子