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  • 掃描俄歇微探針(SAM)

    掃描俄歇微探針(SAM); 基本功能: (1)可進行樣品表面的微區選點分析(包括點分析,線分析和面分析); (2)可進行深度分析; (3)化學價態研究 用途: 納米薄膜材料,微電子材料的表 面和界面研究及摩擦化學研究。 ......閱讀全文

    掃描俄歇微探針(SAM)

       掃描俄歇微探針(SAM);    基本功能:   (1)可進行樣品表面的微區選點分析(包括點分析,線分析和面分析);   (2)可進行深度分析;   (3)化學價態研究    用途:   納米薄膜材料,微電子材料的表 面和界面研究及摩擦化學研究。

    掃描俄歇微探針(SAM)

       掃描俄歇微探針(SAM);    基本功能:   (1)可進行樣品表面的微區選點分析(包括點分析,線分析和面分析);   (2)可進行深度分析;   (3)化學價態研究    用途:   納米薄膜材料,微電子材料的表 面和界面研究及摩擦化學研究。

    俄歇電子能譜儀AES(PHI700Xi)掃描俄歇納米探針

    PHI的700Xi掃描俄歇電子能譜儀(AES) 提供高性能的掃描俄歇電子(AES) 頻譜分析,俄歇成像和濺射深度分析的復合材料包括:納米材料,催化劑,金屬和電子設備。維持基于PHI?CMA的核心俄歇儀器性能,和響應了用戶所要求以提高二次電子(SE)成像性能和高能量分辨率光譜。PHI的同軸鏡分析儀(C

    實驗室分析儀器掃描俄歇微探針的技術指標

    檢測范圍:原子序數大于He的所有元素 檢測極限:0.1 at% 信息深度:0.5~5 nm?空間分辨率:25 nm 能量分辨率≤0.3%?半定量:相對原子靈敏度因子法。

    實驗室分析儀器掃描俄歇微探針的主要功能

    主要應用于固體材料的成份,特別是微納區域的表面與結構分析(線掃描,面掃描,深度剖析,成像)。

    實驗室分析儀器掃描俄歇微探針的基本功能和用途

    ?基本功能:?(1)可進行樣品表面的微區選點分析(包括點分析,線分析和面分析);?(2)可進行深度分析;?(3)化學價態研究?用途:納米薄膜材料,微電子材料的表?面和界面研究及摩擦化學研究。

    俄歇電子能譜儀的技術發展

    新一代的俄歇電子能譜儀多采用場發射電子槍,其優點是空間分辨率高,束流密度大,缺點是價格貴,維護復雜 ,對真空要求高。除 H 和 He 外,所有原子受激發后都可產生俄歇電子,通過俄歇電子能譜不但能測量樣品表面的元素組分和化學態,而且分析元素范圍寬,表面靈敏度高。顯微AES是 AES 很有特色的分析功能

    俄歇電子能譜儀的基本原理

      俄歇電子能譜儀的基本原理是,在高能電子束與固體樣品相互作用時,原子內殼層電子因電離激發而留下一個空位,較外層電子會向這一能級躍遷,原子在釋放能量過程中,可以發射一個具有特征能量的 X 射線光子,也可以將這部分能量傳遞給另一個外層電子,引起進一步電離 ,從而發射一個具有特征能量的俄歇電子。檢測俄歇

    俄歇電子能譜的微區分析

    微區分析也是俄歇電子能譜分析的一個重要功能,可以分為選點分析,線掃描分析和面掃描分析三個方面。這種功能是俄歇電子能譜在微電子器件研究中最常用的方法,也是納米材料研究的主要手段。(1)選點分析俄歇電子能譜選點分析的空間分別率可以達到束斑面積大小。因此,利用俄歇電子能譜可以在很微小的區域內進行選點分析。

    俄歇躍遷

    對于自由原子來說,圍繞原子核運轉的電子處于一些不連續的"軌道 ”上,這些 “ 軌道 ” 又組成K、L、M、N 等電子殼層。 我們用“ 能級 ”的概念來代表某一軌道上電子能量的大小。由于入射電子的激發,內層 電子被 電離, 留下一個空穴。 此時原子處于激發態, 不穩定。 較高能級上的一個電子降落到內層

    俄歇復合

    俄歇復合是半導體中一個類似的俄歇現象:一個電子和空穴(電子空穴對)可以復合并通過在能帶內發射電子來釋放能量,從而增加能帶的能量。其逆效應稱作碰撞電離。

    俄歇效應簡介

    俄歇效應(Auger effect)是原子發射的一個電子導致另一個或多個電子(俄歇電子)被發射出來而非輻射X射線(不能用光電效應解釋),使原子、分子成為高階離子的物理現象,是伴隨一個電子能量降低的同時,另一個(或多個)電子能量增高的躍遷過程。“俄歇效應”是以其發現者,法國人皮埃爾·維克托·俄歇(Pi

    俄歇電子的產生和俄歇電子躍遷過程

    一定能量的電子束轟擊固體樣品表面,將樣品內原子的內層電子擊出,使原子處于高能的激發態。外層電子躍遷到內層的電子空位,同時以兩種方式釋放能量:發射特征X射線;或引起另一外層電子電離,使其以特征能量射出固體樣品表面,此即俄歇電子。俄歇躍遷的方式不同,產生的俄歇電子能量不同。上圖所示俄歇躍遷所產生的俄歇電

    關于俄歇電子能譜的俄歇電流的基本介紹

      俄歇電子能譜的俄歇電流,從純凈固體表面測得的俄歇電流大約是10-5Ip,Ip是入射電子束流。 俄歇電流原則上可以通過估計電離截面來計算,但由于受多種因子的影響。 計算很復雜,并與實驗符合得不好。 在實際測量時,為了使俄歇電流達到最大,必須選擇適當的EP/EW比例。EP是入射電子的能量,EW是最初

    微納尺度表征的俄歇電子能譜新技術

    隨著納米結構材料的廣泛應用,新型微納尺度表征技術成為納米科學技術的重要組成部分。發展在納米尺度下的各種檢測與表征手段,以用于觀測納米結構材料的原子、電子結構,和測量各種納米結構的力、電、光、磁等特性,日益引起人們的重視。針對目前廣泛使用的各種光子譜技術、X射線衍射和精細吸收譜、高分辨的電子顯微術等技

    X射線能譜研究板狀碘溴化銀微晶中的碘離子的空間分布

    本文制備了一系列不同碘含量的板狀碘溴化銀微晶(微晶大小約為3微米)。運用掃描透射電鏡和X射線能譜儀(EDS)對單個微晶進行了分析和研究,半定量地測定了碘離子在板狀微晶中的面分布;運用掃描俄歇微區棵針(SAM)和二次電子像、離子濺射剝層技術對微晶進行了表面及其縱深的碘離子的點分析,根據EDS和SAM的

    俄歇分析的選擇

    Z<15的輕元素的K系俄歇電子以及所有元素的L系和M系俄歇電子產額都很高。由此可見,俄歇電子能譜對輕元素的檢測特別敏感和有效。

    俄歇表面分析(4)

    俄歇表面分析俄歇電子在固體中運行也同樣要經歷頻繁的非彈性散射,能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產生的俄歇電子,這些電子的能量大體上處于 10~500電子伏,它們的平均自由程很短,大約為5~20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源,電子束可以聚焦、

    俄歇電子產額

    俄歇電子產額或俄歇躍遷幾率決定俄歇譜峰強度,直接關系到元素的定量分析。俄歇電子與特征X射線是兩個互相關聯和競爭的發射過程。對同一K層空穴,退激發過程中熒光X射線與俄歇電子的相對發射幾率,即熒光產額(PX)和俄歇電子產額(PA )滿足 PX + PA =1

    俄歇效應研究應用

    1953 年,蘭德首次進行了俄歇電子能譜用于表面分析的研究。到1967年哈里斯采用電子能量微分法,使電子能量分布曲線上的俄歇譜峰通本底區分開來,才使得俄歇效應的應用走上實用階段。圖1 俄歇電子能譜儀基于俄歇效應的俄歇電子能譜儀是一種實用較廣的表面分析儀器?[1]??,它靠檢測自表面逸出的俄歇電子的特

    俄歇電子能譜

    俄歇電子能譜簡稱AES,是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的電子稱為俄歇電子。1953年,俄歇電子能譜逐漸開始被實際應用

    什么是俄歇復合

    電子和空穴復合時將多余的能量傳給另一導帶中的電子或空穴(實際上是傳給加帶中的另一電子),這種形式并不伴隨發射光子,成為俄歇復合。獲得能量的另一載流子再將能量已聲子的形式釋放出去,回到原來的能量水平。

    俄歇效應作用

    俄歇效應作用是研究核子過程(如捕捉過程與內轉換過程)的重要手段。同時從俄歇電子的能量與強度,可以求出原子或分子中的過渡幾率。反之,由已知能量的俄歇光譜線,可以校準轉換電子的能量。按照這一效應,已制成俄歇電子譜儀,在表面物理、化學反應動力學、冶金、電子等的領域內進行著高靈敏度的檢測與快速分析。

    俄歇電子能譜

    俄歇電子能譜(Auger electron spectroscopy,簡稱AES),是一種表面科學和材料科學的分析技術。因此技術主要借由俄歇效應進行分析而命名之。這種效應系產生于受激發的原子的外層電子跳至低能階所放出的能量被其他外層電子吸收而使后者逃脫離開原子,這一連串事件稱為俄歇效應,而逃脫出來的

    多功能電子能譜儀

      多功能電子能譜儀是一種用于材料科學領域的分析儀器,于2007年10月31日啟用。  技術指標  X射線光電子能譜(XPS),可使用單色化Al靶X射線源及雙陽極Al/Mg靶X射線源,包括大面積XPS(0.8×2 mm),微區XPS(最小選區15 μm)、深度剖析XPS及XPS成像,空間分辨率<3

    掃描俄歇電子能譜對鍍錫板表層的直觀表征

    使用氬離子濺射輔助的掃描俄歇電子能譜方法,對某公司生產鍍錫鋼板的鈍化層進行了表面和深度方向形貌、成分的詳細分析表征。通過微區成分定性分析、元素面掃描分析、微區深度分析和各元素深度方向歸一化比例計算的技術手段,直觀表征出該鍍錫板表面鈍化層完整連續,其表面區域性的形貌差異對應于鈍化層厚度差別,從而對鈍化

    AES、STM、AFM的區別

    AES、STM、AFM的區別主要是名稱不同、工作原理不同、作用不同、一、名稱不同1、AES,英文全稱:Auger Electron Spectroscopy,中文稱:俄歇電子能譜2、STM,英文全稱: Scanning Tunneling Microscope,中文稱:掃描隧道顯微鏡3、AFM,英文

    掃描探針顯微鏡的微放電

    ? ? ? 掃描探針顯微鏡通常用來對微納米尺度樣品的表面結構與性質進行表征,對形貌表征具有極高的空間分辨率,通過處理和分析微探針與樣品之間的各種相互作用力,可以精確研究樣品局部的電學、力學性質。微放電是一種將放電限制在有限空間內的氣體放電,在大氣壓下當電極尺寸縮小到一定程度時,空氣放電機理與長間隙空

    俄歇電子能譜儀

    俄歇電子能譜儀(Auger Electron Spectroscopy,AES),作為一種最廣泛使用的分析方法而顯露頭角。這種方法的優點是:在靠近表面5-20埃范圍內化學分析的靈敏度高;數據分析速度快;能探測周期表上He以后的所有元素。雖然最初俄歇電子能譜單純作為一種研究手段,但現在它已成為常規分析

    俄歇效應發現過程

    奧地利科學家Lise Meitner在1920年首先觀察到俄歇過程。1925年,Pierre Victor Auger在Wilson云室實驗中采用高能X射線來電離氣體,并觀察到了光電子。對電子的測量分析表明其軌跡與入射光子的頻率無關,這表明電子電離的機制是原子內部能量交換或無輻射躍遷;運用基本量子力

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