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  • X射線光電子能譜的起源和發展

    1887年,海因里希·魯道夫·赫茲發現了光電效應,1905年,愛因斯坦解釋了該現象(并為此獲得了1921年的諾貝爾物理學獎)。兩年后的1907年,P.D. Innes用倫琴管、亥姆霍茲線圈、磁場半球(電子能量分析儀)和照像平版做實驗來記錄寬帶發射電子和速度的函數關系,他的實驗事實上記錄了人類第一條X射線光電子能譜。其他研究者如亨利·莫塞萊、羅林遜和羅賓遜等人則分別獨立進行了多項實驗,試圖研究這些寬帶所包含的細節內容。XPS的研究由于戰爭而中止,第二次世界大戰后瑞典物理學家凱·西格巴恩和他在烏普薩拉的研究小組在研發XPS設備中獲得了多項重大進展,并于1954年獲得了氯化鈉的首條高能高分辨X射線光電子能譜,顯示了XPS技術的強大潛力。1967年之后的幾年間,西格巴恩就XPS技術發表了一系列學術成果,使XPS的應用被世人所公認。在與西格巴恩的合作下,美國惠普公司于1969年制造了世界上首臺商業單色X射線光電子能譜儀。1981年西格巴恩......閱讀全文

    X射線光電子能譜的起源和發展

    1887年,海因里希·魯道夫·赫茲發現了光電效應,1905年,愛因斯坦解釋了該現象(并為此獲得了1921年的諾貝爾物理學獎)。兩年后的1907年,P.D. Innes用倫琴管、亥姆霍茲線圈、磁場半球(電子能量分析儀)和照像平版做實驗來記錄寬帶發射電子和速度的函數關系,他的實驗事實上記錄了人類第一條X

    X射線光電子能譜儀(XPS)的發展

      X射線光電子能譜(XPS)也被稱作化學分析電子能譜(ESCA)。該方法首先是在六十年代由瑞典科學家K.Siebabn 教授發展起來的。這種能譜最初是被用來進行化學元素的定性分析,現在已發展為表面元素定性、半定量分析及元素化學價態分析的重要手段。此外,配合離子束剝離技術和變角XPS技術,還可以進行

    關于x射線光電子能譜的發展簡史

      1887年,海因里希·魯道夫·赫茲發現了光電效應,1905年,愛因斯坦解釋了該現象(并為此獲得了1921年的諾貝爾物理學獎)。兩年后的1907年,P.D. Innes用倫琴管、亥姆霍茲線圈、磁場半球(電子能量分析儀)和照像平版做實驗來記錄寬帶發射電子和速度的函數關系,他的實驗事實上記錄了人類第一

    X射線光電子能譜儀的發展史

    1887年,海因里希·魯道夫·赫茲發現了光電效應,1905年,愛因斯坦解釋了該現象(并為此獲得了1921年的諾貝爾物理學獎)。兩年后的1907年,P.D. Innes用倫琴管、亥姆霍茲線圈、磁場半球(電子能量分析儀)和照像平版做實驗來記錄寬帶發射電子和速度的函數關系,他的實驗事實上記錄了人類第一條X

    X射線衍射的起源和基本原理

    1912年,勞厄等人根據理論預見,證實了晶體材料中相距幾十到幾百皮米(pm)的原子是周期性排列的;這個周期排列的原子結構可以成為X射線衍射的“衍射光柵”;X射線具有波動特性, 是波長為幾十到幾百皮米的電磁波,并具有衍射的能力。這一實驗成為X射線衍射學的第一個里程碑。當一束單色X射線入射到晶體時,由于

    X射線光電子能譜的原理和應用

    一?X光電子能譜分析的基本原理??X光電子能譜分析的基本原理:一定能量的X光照射到樣品表面,和待測物質發生作用,可以使待測物質原子中的電子脫離原子成為自由電子。該過程可用下式表示:hn=Ek+Eb+Er;其中:hn:X光子的能量;Ek:光電子的能量;Eb:電子的結合能;Er:原子的反沖能量。其中Er

    X射線光電子能譜

    X射線光電子能譜(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)技術也被稱作用于化學分析的電子能譜(electron spectroscopy for chemical analysis,ESCA).XPS屬表面分析法,它可以給出固體樣品表面所含的元素種類、化學組成以及有

    X射線光電子能譜分析

    X射線光電子能譜分析(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)是用X射線去輻射樣品,使原子或分子的內層電子或價電子受激發射出來。被光子激發出來的電子稱為光電子,可以測量光電子的能量,以光電子的動能為橫坐標,相對強度(脈沖/s)為縱坐標可做出光電子能譜圖,從而獲得待

    X射線光電子能譜(-XPS)

    XPS:X射線光電子能譜分析(XPS, X-ray photoelectron spectroscopy)測試的是物體表面10納米左右的物質的價態和元素含量,而EDS不能測價態,且測試的深度為幾十納米到幾微米,基本上只能定性分析,不好做定量分析表面的元素含量。?原理:用X射線去輻射樣品,使原子或分子

    X射線熒光光譜儀的理論基礎X射線的起源

      1895年德國物理學家威廉·康拉德·倫琴研究陰極射線管時,發現陰極能放出一種有穿透力的、肉眼看不見的射線。由于它的本質在當時是一個“未知數”,故稱之為X射線。  倫琴無條件地把X射線的發現奉獻給人類,沒有申請ZL。  X射線和可見光一樣屬于電磁輻射,但其波長比可見光短得多,在10-6~10nm。

    X射線光電子能譜儀原理

    X射線光子的能量在1000~1500ev之間,不僅可使分子的價電子電離而且也可以把內層電子激發出來,內層電子的能級受分子環境的影響很小。 同一原子的內層電子結合能在不同分子中相差很小,故它是特征的。光子入射到固體表面激發出光電子,利用能量分析器對光電子進行分析的實驗技術稱為光電子能譜。?XPS的原理

    X射線光電子能譜儀的發現

      1895年11月8日晚,德國維爾茨堡大學校長兼物理研究所所長倫琴在實驗室研究陰極射線。  為了防止外界光線對放電管的影響,也為了不使管內可見光漏出管外,他把房間全部弄黑,創造伸手不見五指的環境,他還用黑色硬紙給放電管做了個封套。為了檢查封套是否漏光,他給放電管接上電源,發現沒有漏光。但他切斷電源

    X射線光電子能譜儀的介紹

    X-射線光電子能譜儀,是一種表面分析技術,主要用來表征材料表面元素及其化學狀態。其基本原理是使用X-射線,如Al Ka =1486.6eV,與樣品表面相互作用,利用光電效應,激發樣品表面發射光電子,利用能量分析器,測量光電子動能(K.E),根據B.E=hv-K.E-W.F,進而得到激發電子的結合能(

    X射線光電子能譜儀的簡介

    X-射線光電子能譜儀,是一種表面分析技術,主要用來表征材料表面元素及其化學狀態。其基本原理是使用X-射線,如Al Ka =1486.6eV,與樣品表面相互作用,利用光電效應,激發樣品表面發射光電子,利用能量分析器,測量光電子動能(K.E),根據B.E=hv-K.E-W.F,進而得到激發電子的結合能(

    X射線光電子能譜儀的介紹

    X-射線光電子能譜儀,是一種表面分析技術,主要用來表征材料表面元素及其化學狀態。其基本原理是使用X-射線,如Al Ka =1486.6eV,與樣品表面相互作用,利用光電效應,激發樣品表面發射光電子,利用能量分析器,測量光電子動能(K.E),根據B.E=hv-K.E-W.F,進而得到激發電子的結合能(

    X射線光電子能譜(XPS)的簡介

    XPS是重要的表面分析技術之一,是由瑞典Kai M. Siegbahn教授領導的研究小組創立的,并于1954年研制出世界上第一臺光電子能譜儀,1981 年,研制出高分辨率電子能譜儀。他在1981年獲得了諾貝爾物理學獎。

    關于x射線光電子能譜的簡介

      以X射線為激發光源的光電子能譜,簡稱XPS或ESCA。  處于原子內殼層的電子結合能較高,要把它打出來需要能量較高的光子,以鎂或鋁作為陽極材料的X射線源得到的光子能量分別為1253.6ev和1486.6ev,此范圍內的光子能量足以把不太重的原子的1s電子打出來。周期表上第二周期中原子的1s電子的

    X射線光電子能譜儀的介紹

    X-射線光電子能譜儀,是一種表面分析技術,主要用來表征材料表面元素及其化學狀態。其基本原理是使用X-射線,如Al Ka =1486.6eV,與樣品表面相互作用,利用光電效應,激發樣品表面發射光電子,利用能量分析器,測量光電子動能(K.E),根據B.E=hv-K.E-W.F,進而得到激發電子的結合能(

    X射線光電子能譜儀的簡介

      X-射線光電子能譜儀,是一種表面分析技術,主要用來表征材料表面元素及其化學狀態。其基本原理是使用X-射線,如Al Ka =1486.6eV,與樣品表面相互作用,利用光電效應,激發樣品表面發射光電子,利用能量分析器,測量光電子動能(K.E),根據B.E=hv-K.E-W.F,進而得到激發電子的結合

    X射線光電子能譜法的簡介

    中文名稱X射線光電子能譜法英文名稱X-ray photoelectron spectroscopy,XPS定  義以單色X射線為光源,測量并研究光電離過程發射出的光電子能量及相關特征的方法。能夠給出原子內殼層及價帶中各占據軌道電子結合能和電離能的精確數值。應用學科材料科學技術(一級學科),材料科學技

    X射線光電子能譜的的技術特點

    (1)可以分析除H和He以外的所有元素,對所有元素的靈敏度具有相同的數量級。(2)相鄰元素的同種能級的譜線相隔較遠,相互干擾較少,元素定性的標識性強。(3)能夠觀測化學位移。化學位移同原子氧化態、原子電荷和官能團有關。化學位移信息是XPS用作結構分析和化學鍵研究的基礎。(4)可作定量分析。既可測定元

    軟X射線的發展背景

      軟X射線投影光刻技術是現有可見-近紫外投影光刻技術向軟X射線波段(1~30nm)的延伸。但是,由于此波段任何材料的折射率均接近于1,而且吸收較大,微縮投影光學系統必須采用反射系統,而單層膜反射鏡對正入射軟X 射線的反射率幾乎為零,無法利用其組成正入射系統。70年代后,隨著超光滑表面加工技術和超薄

    X射線譜儀的發展

      X射線譜儀是我國繞月探測工程實現月球資源探測、研究月球組成預演化等的重要手段和有效方法之一。“在我國探月工程分三步走的進程中,通過一期嫦娥一號衛星有效載荷繞月工程在軌觀測,我們將獲得月球表面元素的種類及其含量、分布。有了月表元素分布圖,就能為探月二期工程利用月球車登月后進行資源探測和進一步的科考

    X射線光電子能譜儀和樣品制備

    XPS儀由X射線激發源、樣品臺、電子能量分析器、檢測器系統、超高真空系統等部分組成。X射線源:在目前的商品儀器中,一般采用Al/Mg雙陽極X射線源。常用的激發源有Mg Ka X射線,光子能量為1253.6 eV和Al Ka X射線,光子能量為1486.6 eV。電子能量分析器:電子能量分析器是XPS

    X射線光電子能譜分析法

    主要功能及應用領域:? ?主要用于固體材料的表面元素成份及價態的定性、半定量分析,固體表面元素組成的深度剖析及成像。可應用于金屬、無機材料、催化劑、聚合物、涂層材料礦石等各種材料的研究,以及腐蝕、摩擦、潤滑、粘接、催化、包覆、氧化等過程的研究。主要附件:UPS、AES、SEM主要特點:1.?采用平均

    多功能X射線光電子能譜儀

      多功能X射線光電子能譜儀是一種用于物理學、生物學、基礎醫學、臨床醫學領域的分析儀器,于2018年1月22日啟用。  技術指標  1. 分析室真空度:5×10-10 mbar  2. 最佳能量分辨率:0.43eV  3. 最小空間分辨率:1μm  4. Ag的3d5/2峰半峰寬為1eV時電子計數率

    X射線光電子能譜學

    X射線光電子能譜學(英文:X-ray photoelectron spectroscopy,簡稱XPS)是一種用于測定材料中元素構成、實驗式,以及其中所含元素化學態和電子態的定量能譜技術。這種技術用X射線照射所要分析的材料,同時測量從材料表面以下1納米到10納米范圍內逸出電子的動能和數量,從而得到X

    X射線光電子能譜應用領域

    主要用途:1.表面定性與定量分析. 可得到小於10um 空間分辨率的X射線光電子能譜的全譜資訊.2.維持10um以下的空間分辨率元素成分包括化學態的深度分析(角分辨方式,,氬離子或團簇離子刻蝕方式)3.線掃瞄或面掃瞄以得到線或面上的元素或化學態分布.4.成像功能.5.可進行樣品的原位處理 AES:1

    X射線光電子能譜儀的儀器類別

    03030707 /儀器儀表 /成份分析儀器指標信息: 主真空室:1×10-10 Torr XPS:0.5eV, AES: 分辨率:0.4%,?電子槍束斑:75nm , 靈敏度:1Mcps信噪比:大于70:1 角分辨:5°~90°. A1/Mg雙陽極靶 能量分辨率:0.5eV ,靈敏度:255KCP

    關于x射線光電子能譜的特點介紹

      x射線光電子能譜作為一種現代分析方法,具有如下特點:  (1)可以分析除H和He以外的所有元素,對所有元素的靈敏度具有相同的數量級。  (2)相鄰元素的同種能級的譜線相隔較遠,相互干擾較少,元素定性的標識性強。  (3)能夠觀測化學位移。化學位移同原子氧化態、原子電荷和官能團有關。化學位移信息是

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