質譜分析法術語二次離子質譜法
二次離子質譜法（ secondary ion mass spectrometry， SIMS）采用二次離子質譜儀進行質析的方法，該法依賴于所用不同二次離子質譜儀，可劃分為四極桿二次離子質（quasSenary ion nmss spectrometr）、高分辯二次離子質譜儀（ high resolution two ion mass spectromete）、雙聚焦二次離子質譜法 （double focusing secondary ion mass spectrometry）和時間飛行二次離子質譜法（TOF seoondary ion mass spectrometry）。根據分析對象和測量目的的不同，該法可進行表分分析、深度部析、成像和同位素精確測量，獲取元素成分、同位素豐度、物質結構等多種信息。熱電離質請法（ thermal ionization mass speetrometry，TIMS）原子或分子在高熔點、高功函數金......閱讀全文
質譜分析法術語二次離子質譜法
二次離子質譜法（ secondary ion mass spectrometry， SIMS）采用二次離子質譜儀進行質析的方法，該法依賴于所用不同二次離子質譜儀，可劃分為四極桿二次離子質（quasSenary ion nmss spectrometr）、高分辯二次離子質譜儀（ high resolu
質譜分析法術語質譜法
質譜法（ mass spectrometry，MS）亦稱質譜學（ mass spectroscopy），采用不同離子化方式，將待測物電離形成帶電離子，離子按質荷比m/z分離、檢測的方法。質譜法是實現原子（分子）質量測定，同位素分離、分析，物質結構鑒定以及氣相離子化學基礎研究的譜學方法。作為一種檢測手
質譜分析法術語無機質譜法
無機質譜法（ inorganic mass spectrometry）用質譜儀器對無機元素或無機化合物進行定性定量分析的方法。早期以火花源質譜法、二次離子質譜法為主，隨著電感耦合等離子體質譜法、輝光放電質譜法的成熟，拓寬了無機質譜法的應用領域。在高純氣體、高純材料中痕量雜質分析，無機物元素分析，固體
質譜分析法術語表面電離質譜法
表面電離質譜法（surface ionization mass spectrometry）熱電離質譜法的一種，將預測量樣品涂覆在高熔點、高功函數的金屬帶表面或金屬絲表面，借助通過帶或絲的電流產生的高溫而電離，電離生成的離子進入質量分析器進行分離和測量。
質譜分析法術語火花源質譜法
火花源質譜法（spark source mass spectrometry，SSMS）采用火花源質譜儀對被測成分（元素、同位素）進行定性、半定量和定量分析的質譜方法。該法電離效率高，幾乎能使所有被測成分電離，且對所有元素有大致相同的電離效率，實現多元素同時檢測，曾經是高純材料、痕量雜質測量的有效方法
質譜分析法術語靜態真空質譜法
靜態真空質譜法（static vacuum mass spectrometry，SVMS）當進行樣品分析時，質譜儀的分析系統處于靜態真空，即在離子源、分析器和接收器恒定真空狀態下測量，稱之為靜態真空質譜法。靜態真空質譜法主要應用于惰性氣體同位素分析，故也稱為惰性氣體質譜法（inert gas mas
質譜分析法術語加速器質譜法
加速器質譜法（ accelerator mass spectrometry，AMS）使用加速器質譜儀進行高能量離子分篇析的質請方法。AMS測量的離子具有高能量，有效克服了傳統質謝測量時的同量異位素和分子本感干找限制，提高了同位素測量的豐度靈度（可達10?-16），為地質、考古、海洋、環境等領域的科學
質譜分析法術語激光電離質譜法
激光電離質譜法（ laser ionization mass spectrornetry， L IMS）是利用激光電離質譜儀進行質譜分析的一種方法，具有微區分析功能，可進行逐層剖析，剖析深度可達1um至幾十微米，分析雙敏度高，相對檢測極限5μg/g，在高純材料、生物、醫學等領域獲得成功應用。
質譜分析法術語同位素質譜法
同位素質譜法（ （isotope mass spectrometry）用質譜儀器進行同位素組成的研究和原子質量測量的方法。主要用于核科學、同位素地質學、同位素地球化學和天體物質中同位素豐度的測定。隨著同位素稀釋法和穩定同位素標記技術的發展，同位素質譜法在生物學、臨床醫學、藥學、農學和環境科學領域也得
質譜分析法術語火輝光放電質譜法
輝光放電質譜法（glow discharge mass spectrometry，GDMS）利用輝光放電質譜儀進行質譜測量的一種分析方法。GDMS是無機固體材料，特別是高純材料中痕量雜質檢測的有效方法。
質譜分析法術語光共振電離質譜法
激光共振電離質譜法（? laser resonance ionization mass spectrometry， LRIMS）是利用激光共振電離質儀進行質譜分析的方法。原則上 LRIMS可實現單原子探測，具有極高的元素、核素選擇性和探測靈敏度，是復雜基質下超痕量中長壽命核素定量分析的有效方法，在材
質譜分析法術語穩定離子
穩定離子（stable ion）指在離子源生成的，離開離子源后直至到達檢測器不發生裂解的離子。通常指壽命比10-5s長的離子。
質譜分析法術語負離子
負離子（negative ions）帶負電荷的離子，產生于質譜儀的負離子源。
質譜分析法術語負離子電離
負離子電離（negative ion ionization，NII）對于具有電子親和力比較大的元素捕獲一個電子可生成負離子，這種離子化的方法稱為負離子電離法。
質譜分析法術語離子化
離子化（ionization）或稱為電離。指中性原子或分子失去電子或捕獲電子生成離子的過程。在質譜分析中，指氣相、液相、固相樣品的原子、分子變為氣態的正離子或負離子的過程。
質譜分析法術語多電荷離子
多電荷離子（multiple charged ion）帶有兩個以上電荷的離子，通常多電荷離子具有非整數質荷比，出現在質譜圖的分數質量上，形成“本底”。
質譜分析法術語離氣體穩定同位素質譜法
氣體穩定同位素質譜法（ gas stable isotope ratio mass spectrometry， GSIRMS）該法因測量氣體穩定同位素比值而得名，如測量碳、氧、氮、硫等元素的穩定性同位素，測量結果的品位通常以δ表示，在同位素地球化學、同位素地質學、石油勘探與開采、同位素宇宙學、海洋學
質譜分析法術語離子模擬測量
離子模擬測量（ analog measurement of ion）是測量離子的一種方法，該法將接收的離子通過高穩定、高歐姆值的電阻放大，轉換為電壓信號，再經過電子學放大器放大后，借助模數轉換器轉換為數字信號進行測量。當離子濃度較高時，采用法拉第杯接收器測量，模擬值可達1012cps（ count
質譜分析法術語不穩定離子
不穩定離子（unstable ion）在離子源內生成，但在離開離子源之前就分解的離子。通常指壽命小于10-6s的離子。由于這種離子的裂解發生在離子源內，因此稱為源內碎裂（in--source fragmentation）。
質譜分析法術語等離子體
等離子體（plasma）亦稱等離子區。一般指電離的氣體，主要由離子、電子和未經電離的中性粒子所組成。因正負電荷密度幾乎相等，故從整體上看呈現電中性。例如，火焰和電弧中的高溫部分，太陽和氣體恒星的表面等。在等離子體中電磁力起主要作用，能引起和普通氣體大不相同的內部運動形態，如電子和離子的集體振蕩，因此
質譜分析法術語離子計數測量
離子計數測量（ counting measurement of ion）質譜分析時測量離子的一種方法，該法將接收的離子通過離子甄別器排除干擾離子后，經脈沖放大器放大，用脈沖計數器測量，計數率通常在10?6cp5。目前閃爍探測器和通道式電子倍增器都可用離子計數測量。
二次離子質譜法的簡介
二次離子質譜法是指當初級離子束（Ar+，O2+，N2+, O-，F-，N -或Cs+等） 轟擊固體試樣表面時，它可以從表面濺射出各種類型的二次離子，利用離子在電場，磁場或自由空間中的運動規律，通過質量分析器，可以使不同質荷比的離子分開，經分別計數后可得到二次離子強度-質荷比關系曲線的分析方法。
動態二次離子質譜分析（DSIMS）
動態二次離子質譜分析（D-SIMS）1. 飛行時間二次離子質譜技術二次離子質譜技術（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子的質量來測定元素種類，具有極
飛行時間二次離子質譜法
飛行時間二次離子質譜法Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry :TOF-SIMS原理超真空環境下向樣品射入1次離子束，從樣品的淺表層（1~3nm）釋放出2次離子。將2次離子導入飛行時間（TOF型）質譜儀，就可以獲得樣品最表層的質譜。此時，再通過調
質譜分析法術語峰匹配測量法
峰匹配測量法（peak matching measurement）一種測定離子精確質量的方法。精度可達（110）×10-6根據扇形磁質譜儀的基本公式:m/z＝KB21V，當B2不變時，質量分別為m1和m2的兩個離子有如下關系:m1:m2＝V1:V2。在離子接收狹縫前裝上一對偏轉電極，并在電極上加一個
質譜分析法術語同位素稀釋法
同位素稀釋法（isotope dilution method）采用同位素稀釋進行定量分析的方法。如在含有自然豐度的某元素未知濃度溶液中，加入該元素已知豐度的定量濃縮同位素或貧化同位素溶液，等待兩種溶液均勻混合，通過待測樣品、混合溶液的同位素豐度質譜法測量，根據待測、濃縮和混合溶液中的同位素豐度和所加
質譜分析法術語質譜
質譜（mass spectra mass spectrum）按照被測體質量大小排序的譜線。
SiO－2鈍化膜中鈉離子的二次離子質譜分析
前 言? 對于半導體器件而言，在管芯表面覆蓋鈍化膜的保護措施是非常必要的，鈍化膜是器件的最終的鈍化層和機械保護層，可以起到電極之間的絕緣作用，減弱和穩定半導體材料的多種表面效應，防止管芯受到塵埃、水汽酸氣或金屬顆粒的沾污，一般采用CVD 工藝（化學氣相沉積，Chemical Vapor Dep
質譜分析法術語同位素示蹤法
同位素示蹤法（isotope tracer method）用同位素作為示蹤劑來觀察和研究生命體，或物體中某一物質行為的方法。
質譜分析法術語質譜圖
質譜圖（mass spectrogram）質譜測定結果經計算機處理統計后，以棒狀圖（或數據列表形式）表示的譜圖。它是二維圖譜，橫坐標表示離子的質荷比（m/z），對于單電荷的離子，電荷數z＝1，橫坐標表示的數值即為離子的質量；縱坐標表示離子流的強度，通常用相對強度來表示，即把被記錄的各個質量數的離子峰