化學位移的產生原因
核周圍電子產生的感應磁場對外加磁場的抵消作用稱為屏蔽效應。核周圍的電子屏蔽效應是化學位移產生的主要原因。通常氫核周圍的電子云密度越大，屏蔽效應也越大，從而需要在更高的磁場強度中才能發生核磁共振和出現吸收峰。......閱讀全文
化學位移的產生原因
核周圍電子產生的感應磁場對外加磁場的抵消作用稱為屏蔽效應。核周圍的電子屏蔽效應是化學位移產生的主要原因。通常氫核周圍的電子云密度越大，屏蔽效應也越大，從而需要在更高的磁場強度中才能發生核磁共振和出現吸收峰。
拉曼位移的產生原因
當頻率為ν0的單色輻射照射到物質上時,大部分入射輻射透過物質或被物質吸收,只有一小部分輻射被樣品分子散射。入射的光子和物質分子相碰撞時,可發生彈性碰撞和非彈性碰撞,在彈性碰撞過程中,光子與分子之間不發生能量交換,光子只改變運動方向而不改變頻率(ν0),這種散射過程叫彈性散射,亦稱為瑞利散射(Rayl
化學位移是怎樣產生的？
分子中磁性核不是完全裸露的，質子被價電子包圍著。這些電子在外界磁場的作用下發生循環的流動，會產生一個感應的磁場，感應磁場應與外界磁場相反（楞次定律），所以，質子實際上感受到的有效磁感應強度應是外磁場感應強度減去感應磁場強度。即B有效=B0(1-σ）=B0-B0σ=B0-B感應外電子對核產生的這作用稱
產生化學位移的影響因素
化學位移取決于核外電子云密度，因此影響電子云密度的各種因素都對化學位移有影響，影響最大的是電負性和各向異性效應。??1. 電負性電負性大的原子（或基團）吸電子能力強，降低了氫核外圍的電子云密度，屏蔽效應也就隨之降低，其共振吸收峰移向低場，化學位移會變大；反之，給電子基團可增加氫核外圍的電子云密度，共
實驗室分析化學位移基礎知識化學位移的產生
與獨立的質子不同,分子中的各個質子都分別處于特定的化學環境。化學環境主要是指質子的核外電子以及與該質子距離相近的其他原子核或官能團的有關電子的分布、運動及其對周圍空間的影響情況;這些電子在磁場的影響下產生了感應磁場,對質子所處環境中的磁場起了一個正的或負的屏蔽(shielding)影響導致不同的質子
光化學煙霧產生的原因
1.汽車、工廠等污染源排入大氣的碳氫化合物（CH） 城市上空的光化學煙霧和氮氧化物（NOx）等一次污染物,在陽光的作用下發生化學反應,生成臭氧（O3）、醛、酮、酸、過氧乙酰硝酸酯（PAN）等二次污染物,參與光化學反應過程的一次污染物和二次污染物的混合物所形成的煙霧污染現象叫做光化學煙霧.2.經過研究
化學位移
化學位移：由于原子所處的化學環境不同而引起的內層電子結合能的變化，在譜圖上表現為譜峰的位移，這一現象稱為化學位移。化學位移產生的原因：原子核對內層電子有吸引力，外層電子對內層電子有排斥（屏蔽）作用。當原子的化學環境發生改變時，會引起原子核的吸引力和外層電子的屏蔽作用的改變，從而改變內層電子的結合能，
化學位移是因為電子對質子有屏蔽作用產生的
你得看看化學位移是怎么得出來的。一般左邊是低頻高場，右邊是高頻低場。屏蔽效應增加，說明原子實際受到的磁場強度變小，因此需要更高的磁場才行，于是它就像高場移動了。于是表現出來就是數值越來越小了。所以，只看數值是不行的，你還是看看數值是怎么得到的，這個數值跟屏蔽是怎么聯系起來的。
化學發光假陽性本底產生的原因分析
近期收到有小伙伴提問，關于如何解決發光試劑盒研發過程中的本底偏高和假陽性問題。解決問題最重要的是了解問題產生的原因，本微信平臺分類匯總了化學發光試劑產生假陽性本底的原因，由于問題本身并沒有很具體的描述，因此本文也只廣泛的匯總，不包含具體的項目或者方法學方面的內容。希望對大家的工作有所幫助。抗原/抗體
化學發光假陽性本底產生的原因分析
?近期收到有小伙伴提問，關于如何解決發光試劑盒研發過程中的本底偏高和假陽性問題。解決問題最重要的是了解問題產生的原因，本微信平臺分類匯總了化學發光試劑產生假陽性本底的原因，由于問題本身并沒有很具體的描述，因此本文也只廣泛的匯總，不包含具體的項目或者方法學方面的內容。希望對大家的工作有所幫助。? ?
原子吸收分析法中化學干擾的產生原因
化學干擾是原子吸收光譜分析法中的主要干擾來源。待測元素與共存組分之間形成的熱力學穩定的化合物,如生成難熔氧化物和難熱解的碳化物。在陽離子干擾中,有很大一部分是屬于被測元素與干擾離子形成的難熔混晶體,如鋁、鈦、硅對堿土金屬的干擾;硼、鈹、鉻、鐵、鋁、硅、鈦、鈾、釩、鎢和稀土元素等,易與被測元素形成不易
?酸敗產生的原因
脂肪中的不飽和脂肪酸的雙鍵被空氣中的氧氣所氧化，生成分子量較小的醛和酸的復雜混合物，而光和熱加快了這一氧化過程。脂肪在高溫、高濕和通風不良的情況下，可因微生物的作用而發生水解，產生脂肪酸和甘油，脂肪酸可經微生物進一步作用，生成酮。
影響化學位移的因素
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達(相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準)。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。影響因素可以表示為內因:有吸電子基團的向低場移動(因為屏蔽作用減少，弛豫所
化學位移的影響隱私
化學位移取決于核外電子云密度，因此影響電子云密度的各種因素都對化學位移有影響，影響最大的是電負性和各向異性效應。（1）電負性（誘導效應）電負性對化學位移的影響可概述為：電負性大的原子（或基團）吸電子能力強，1H核附近的吸電子基團使質子峰向低場移（左移），給電子基團使質子峰向高場移（右移）。這是因為吸
化學位移的表示方法
化學位移的差別約為百萬分之十，要精確測定其數值十分困難。現采用相對數值表示法，即選用一個標準物質，以該標準物的共振吸收峰所處位置為零點，其它吸收峰的化學位移值根據這些吸收峰的位置與零點的距離來確定。最常用的標準物質是四甲基硅（CH3）4Si簡稱TMS。選TMS為標準物是因為：TMS中的四個甲基對稱分
甲烷氫的化學位移
甲烷氫的化學位移值為0.23，其它開鏈烷烴中，一級質子在高場δ≈0.91處出現，二級質子移向低場在δ≈1.33處出現，三級質子移向更低場在δ≈1.5處出現。例如：烷烴CH4CH3—CH3CH3—CH2—CH3(CH3)3CHδ0.230.860.860.911.330.910.861.50甲基峰一般
常用溶劑的化學位移
常用溶劑的化學位移常用溶劑化學位移常用溶劑化學位移環己烷1.40丙酮2.05苯7.20乙酸2.05 8.50(COOH)*氯仿7.27四氫呋喃（α）3.60（β）1.75乙腈1.95二氧六環3.551,2-二氯乙烷3.69二甲亞砜2.50水4.7N,N-二甲基甲酰胺2.77,2.95,7.5(CHO
常用溶劑的化學位移
常用溶劑的化學位移常用溶劑化學位移常用溶劑化學位移環己烷1.40丙酮2.05苯7.20乙酸2.05 8.50(COOH)*氯仿7.27四氫呋喃（α）3.60（β）1.75乙腈1.95二氧六環3.551,2-二氯乙烷3.69二甲亞砜2.50水4.7N,N-二甲基甲酰胺2.77,2.95,7.5(CHO
碳的化學位移介紹
13C的化學位移亦以四甲基硅為內標，規定δTMS = 0，其左邊值大于0，右邊值小于0。與1H的化學位移相比，影響13C的化學位移的因素更多，但自旋核周圍的電子屏蔽是重要因素之一， 因此對碳核周圍的電子云密度有影響的任何因素都會影響它的化學位移。碳原子是有機分子的骨架，氫原子處于它的外圍，因此分子間
什么是化學位移
原子核在磁場的作用下會發生自旋，當吸收外來電磁輻射時，會發生核自旋能級的躍遷，產生核磁共振現象，有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子云密度不同，導致共振頻率有差異，產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。
什么是化學位移？
帶有磁性的原子核在外磁場的作用下發生自旋能級分裂，當吸收外來電磁輻射時，將發生核自旋能級的躍遷，從而產生核磁共振現象。在有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子云密度不同，導致共振頻率有差異，即產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。
什么是化學位移
化學位移是NMR（核磁共振波譜）的術語。表征在不同化學環境下的不同H-1,C-13,P-31,N-15等元素在波譜上出現的位置。就外部因素來說，氘代溶劑對化學位移有一定影響，如用氘代氯仿和氘代DMSO會導致同一H或C的化學位移有變化，但不是很大。影響化學位移的主要因素是所測元素周圍的化學環境。例如烯
化學位移移動方向
由電子效應所引起的屏蔽效應有兩種：順磁屏蔽效應和反磁屏蔽效應。對于反磁屏蔽效應：電子效應大，則正屏蔽效應大。 這是因為在一個分子中，若電子效應大，則外加磁場在分子中某一區域所產生的“誘導磁場”也就大。 因為“誘導磁場”與外加磁場反方向， 化學位移（共振頻率）向高場移動。對于順磁屏蔽效應：電子效應大，
貝克線產生的原因
由相鄰物質間折射率不同引起。兩介質接觸有四種情況（N折射率大，n折射率小）：A·n蓋于N之上，接觸界面較平緩。光線能透過界面向折射率大的介質方向偏折（N>n，入射角大于反射角），光線在N側加強，提升鏡筒，亮線向N側移動；B·n蓋于N之上，接觸界面較陡。因N>n，入射角大于臨界角，光線發生全反射，向N
膜電位的產生原因
一些關鍵離子在細胞內外的不均等分布及選擇性的透膜移動，是形成膜電位的基礎。每種離子的跨膜滲透都是相對獨立的，這種現象又叫做離子運動的獨立性法則。產生膜電位的重要離子主要有Na+，K+和A-（帶負電荷的細胞內的大蛋白質分子，僅存在細胞內，且膜對它無通透性）。其他離子，如Ca2+、Cl-、Mg2+等在大
自由對流的產生原因
引起自然對流的浮升力實際上來自流體的密度梯度以及與該密度梯度成正比的體積力 ( 或稱為徹體力 ) 的聯合作用。在地球引力場范圍內，最普遍存在的體積力是重力。當然還可以是由旋轉運動導致的離心力、電磁場中的電磁力等。造成介質密度梯度的原因也有多種，其中最主要的是溫度差。
農藥殘留的產生原因
病蟲害防治方法單一 缺乏正確使用農藥的基本知識絕大多數農戶僅用農藥進行防治，[1]原因很簡單： 殺蟲效果好，見效快。還有部分農戶不講究用藥技術(如白粉病打葉的正面，霜霉病 打葉的背面，不能在晴天正午打藥)，一旦認為防治效果不佳，就加大用藥量，結果 使病蟲害產生了抗藥性。當有了抗藥性的病蟲害又在
貝克線產生的原因
由相鄰物質間折射率不同引起。兩介質接觸有四種情況（N折射率大，n折射率小）：A·n蓋于N之上，接觸界面較平緩。光線能透過界面向折射率大的介質方向偏折（N>n，入射角大于反射角），光線在N側加強，提升鏡筒，亮線向N側移動；B·n蓋于N之上，接觸界面較陡。因N>n，入射角大于臨界角，光線發生全反射，向N
應力松弛－產生的原因
高分子材料在加工、貯存和使用過程中，由于受內外因素的綜合作用，其性能逐漸變壞，以致最后喪失使用價值，這種現象就是老化。老化是一種不可逆的變化，它是高分子材料的通病。擔是人們可以通過對高分子老化過程的研究，采取適當的防老化措施，提高材料的耐老化的性能，延緩老化的速率，以達到延長使用壽命的目的。（1）發
腸胃氣產生的原因
引起胃腸脹氣的原因很多，除胃腸本身的原因外，肝、膽、胰腺、腹膜疾病，心血管疾病，感染性疾病等都可導致胃腸脹氣。有可能是胃腸功能失調或是腸道菌群失調等造成的（有時也可以見于正常人偶爾出現，或是著涼等因素造成的，以及手術等很多因素引起）！如果有病變，要作相應的治療。如果確實沒有查出隱患，屬于胃腸功能