PICOSUN原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹秉軍（010-62784044,13910803625,caobj@mail.tsinghua.edu.cn）竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）分類標簽：集成電路 半導體 微納加工， CVD 高K技術指標：4”硅片生長重復性及厚度不均勻性≤±2%；氧化鋁的介電常數>8.0，擊穿電場>9MV/cm；氧化鉿的介電常數>18.0，擊穿電場>3MV/cm。最高溫度 500℃。知名用戶：吳華強 微電子所；王謙 微電子所；技術團隊：曹秉軍功能特......閱讀全文
PICOSUN－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹
PICOSUN－原子層沉積系統共享
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹
Picosun－Oy真空互聯原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：真空互聯-原子層沉積系統儀器編號：21029113產地：芬蘭生產廠家：Picosun Oy型號：R-200 Advanced出廠日期：購置日期：2021-11-25所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯放置地點：微電子學研究所南平房實驗室108號固定電話：01062784044固定
BENEQ－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：BENEQ 原子層沉積系統儀器編號：09016504產地：芬蘭生產廠家：BENEQ型號：TFS200-106出廠日期：200810購置日期：200910所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹秉軍（010
芬蘭PICOSUN公司將在波士頓舉行原子層沉積系統展覽
歡迎您參加2011年6月27-29在波士頓舉行的芬蘭PICOSUN公司的原子層沉積系統展覽。具體內容如下： Thanks to our excellent ALD systems, we are happy report profitable 100% growth during th
原子層沉積系統（ALD）的應用
原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度、成份和結構） 原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
清華大學儀器共享平臺Ultratech－原子層沉積系統
儀器名稱：原子層沉積系統儀器編號：17016605產地：美國生產廠家：Ultratech型號：Savannah S100出廠日期：購置日期：2017-06-25所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：固定email：haosun@ts
原子層沉積系統（ALD）的介紹
是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。
原子層沉積系統（ALD）的原理
原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法（技術）。當前驅體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層
原子層沉積
原子層沉積(ALD)是一種真正的"納米"技術，以精確控制的方式沉積幾個納米的超薄薄膜。 原子層沉積的兩個限定性特征--自約束的原子逐層生長和高度保形鍍膜--給半導體工程，微機電系統和其他納米技術應用提供了許多好處。 原子層沉積的優點 因為原子層沉積工藝在每個周期內精確地沉積一個原子層，所以能
對于原子層沉積系統（ALD）的研究
原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，因而引起了人們廣泛的關注。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解沉積機理，改進和優化薄膜生長工藝，提高薄膜質量，改善薄膜性質具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后
薄膜濺射沉積系統共享應用
儀器名稱：薄膜濺射沉積系統儀器編號：16041495產地：中國生產廠家：AJA型號：ATC 2200-V出廠日期：201605購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓108固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278109
原子層沉積的研究
原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，因而引起了人們廣泛的關注。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解沉積機理，改進和優化薄膜生長工藝，提高薄膜質量，改善薄膜性質具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后，針
原子層沉積系統（ALD）－跟熱蒸鍍沉積有什么區別？
原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法（技術）。當前驅體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層
TRION化學氣相沉積系統共享應用
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
LAB18薄膜沉積系統共享應用
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
化學氣相沉積系統共享
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
LAB18薄膜沉積系統共享
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
原子層沉積技術可用于合金提升態密度有效質量
中國科學院院士、西安交通大學材料學院材料強度組孫軍教授，材料強度組丁向東教授、武海軍教授與深圳大學合作，在探究相界面工程作用于ZrNiSn基半哈斯勒熱電材料取得進展。該工作鑒于現有研究中相界面引發的載流子遷移率降低問題，以及單一能量勢壘無法在全溫度范圍內提升態密度有效質量的局限性，團隊創新性地將原子
清洗系統共享應用
儀器名稱：清洗系統儀器編號：04009244產地：臺灣生產廠家：弘塑科技有限公司型號：SolventStrip出廠日期：200312購置日期：200410所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬偉濤（010-62796022,1
系統測試nikon共享應用
儀器名稱：系統測試nikon儀器編號：A15000007產地：生產廠家：型號：出廠日期：購置日期：所屬單位：醫研院>生物醫學測試中心>尼康影像中心放置地點：醫學科學樓C153固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹慧珍（010-62798727,15210512148,caohuizhen@m
中國第一屆ALD學術交流會即將在上海隆重舉行
尊敬的老師，您好！ 我們非常真誠的邀請您及您的科研團隊參加將于2010年10月18日-10月19日在上海舉行的第一屆ALD學術交流會。 這次大會是由芬蘭PICOSUN公司和復旦大學主辦，南京大學、中國科學院上海技術物理研究所、上海納米技術及應用國家工程研究中心和我們北京正通遠恒科技有限公
清華大學儀器共享平臺TRION－化學氣相沉積系統
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
ASYLUM原子力顯微鏡共享應用
儀器名稱：原子力顯微鏡儀器編號：14009278產地：美國生產廠家：美國ASYLUM公司型號：MFP-3D-SA出廠日期：201212購置日期：201405所屬單位：物理系>低維量子物理國家重點實驗室開放共享平臺>超導電子學實驗室放置地點：理科樓C220固定電話：固定手機：固定email：phn17
清華大學儀器共享平臺Kurt－LAB18薄膜沉積系統
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
EVG高級顯影系統共享應用
儀器名稱：高級顯影系統儀器編號：04001249產地：奧地利生產廠家：EVG型號：EVG101D出廠日期：200303購置日期：200403所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：安東（010-62796021,187016473
弘塑清洗系統共享應用
儀器名稱：清洗系統儀器編號：04009245產地：臺灣生產廠家：弘塑科技有限公司型號：RCAPre出廠日期：200312購置日期：200410所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬偉濤（010-62796022,1391032
弘塑刻蝕系統共享應用
儀器名稱：刻蝕系統儀器編號：04009242產地：臺灣生產廠家：弘塑科技有限公司型號：NitrideEtch出廠日期：200312購置日期：200410所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬偉濤（010-62796022,13
原子層沉積技術開發者獲2018年“千年技術獎”
?? 芬蘭技術學會２２日宣布，將２０１８年“千年技術獎”授予芬蘭物理學家圖奧莫·松托拉，以表彰他研發了在信息技術領域發揮重要作用的原子層沉積技術。 原子層沉積技術可以將物質以單原子膜形式一層一層鍍在基底表面，在許多高科技領域發揮著重要作用。目前，所有的計算機和智能手機都使用以原子層沉積技術制成的
1185萬!－南京大學采購非靶向篩選質譜儀和原子層沉積設備
原子層沉積（ALD）設備項目所在采購意向：南京大學企業信息2023年7至9月政府采購意向采購單位：南京大學企業信息采購項目名稱：原子層沉積（ALD）設備預算金額：700.000000萬元(人民幣)采購品目：A02052402 真空應用設備采購需求概況 ：南京大學企業信息擬采購原子層沉積（ALD）設備