電子束光刻的特點
電子束曝光是用低功率密度的電子束照射電致抗蝕劑，經顯影后在抗蝕劑中產生圖形的一種微細加工技術。 這種曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工藝容限大，而且生產效率高，但由于電子束在光刻膠膜內的散射，使得圖案的曝光劑量會受到臨近圖案曝光劑量的影響（即臨近效應），造成的結果是，顯影后，線寬有所變化或圖形畸變。雖然如此，限角度投影式電子束光刻仍是最具前景的非光學光刻。[1] 電子束曝光有投影（又稱為電子束面曝光）和掃描（又稱為電子束線曝光）兩種工作方式。 電子束投影方式與光刻過程類似，是將掩模版上的圖形轉換成襯底表面介質的圖形的過程。......閱讀全文
電子束光刻的特點
電子束曝光是用低功率密度的電子束照射電致抗蝕劑，經顯影后在抗蝕劑中產生圖形的一種微細加工技術。 這種曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工藝容限大，而且生產效率高，但由于電子束在光刻膠膜內的散射，使得圖案的曝光劑量會受到臨近圖案曝光劑量的影響（即臨近效應），造成的結果是，顯影后，線寬有所變化或圖
電子束光刻的基本結構
電子束曝光的基本結構，從上往下依次為：電子槍、電子槍準直系統、電磁透鏡、消像散器、偏轉器、物鏡、光闌（Aperture）、電子探測器、工作臺（stage）以及真空泵（離子泵、分子泵、機械泵）。 電子槍：高分辨率的熱場發射，配有高壓，電子束的能量通常在10~100KeV。 電子槍準直系統：對電
電子束光刻相關介紹
電子束曝光（electron beam lithography）指使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸應用。 光刻技術的精度受到光子在波長尺度上的散射影響。使用的光波長越短，光刻能夠達到的精度越高。根據德布羅意的物質波理論，電子是一種波長極短的波。這樣，電子束曝光的精度可以達到納
電子束光刻投影電子束掃描系統
掃描式電子束曝光系統可以得到極高的分辨率，但其生產率較低，不能滿足大規模生產的需要。成形束系統生產率固然有所提高，但其分辨率一般在0.2μm左右，難以制作納米級圖形。近年來研發的投影電子束來曝光系統，既能使曝光分辨率達到納米量級，又能大大提高生產率，且不需要鄰近效應校正。在研制中的投影式電子束曝
電子束光刻光柵掃描系統相關介紹
采用高速掃描方式對整個圖形場掃描,利用快速束閘控制電子束通斷,實現選擇性曝光。例如美國Etec公司生產的MEBES系統采用高亮度熱場致發射陰極,在掩模版上可獲得400的束電流密度，工件臺在X方向作連續移動時，電子束在Y 方向作短距離重復掃描，從而形成一條光柵掃描圖形帶。隨后工件臺在 Y方向步
電子束光刻成型電子束掃描系統
成形電子束曝光系統按束斑性質可分成固定和可變成形束系統。固定成形束系統在曝光時束斑形狀和尺寸始終不變；可變成形束系統在曝光時束斑形狀和尺寸可不斷變化。按掃描方式，成形電子束曝光系統又可分為矢量掃描型和光柵掃描型。一種尺寸可變的矩形束斑的形成原理是電子束經上方光闌后形成一束方形電子束，再照射到下方
七點解析JEOL高精密的圓形電子束光刻系統
最新高精密JBX-8100FS圓形電子束光刻系統，通過全方位的設計優化，實現更簡便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節能。 ◇ 節省空間 標準的設備占地面積為4.9m（W）×3.7m（D）×2.6m（H），比以往機型占用空間更小，外形更加緊湊美觀。
半導體所集成技術中心召開電子束光刻用戶研討會
4月12日下午，中科院半導體研究所半導體集成技術工程研究中心召開了2011年度電子束光刻用戶研討會。半導體集成技術工程研究中心領導以及來自半導體所各部門的30余名從事納米加工的研究生出席了本次會議。 半導體集成技術工程研究中心主任楊富華簡要回顧了10年來集成技術中心設備的購建、技術人員的配備和
電工所科技前沿論壇“微光刻與電子束光刻技術”開講
從1958年世界第一塊平面集成電路到2012年04月24日英特爾在北京天文館正式發布核心代號為Ivy Bridge的第三代酷睿處理器—英特爾首款22納米工藝處理器，短短五十多年，微電子技術一直遵循著摩爾定律，發展勢頭迅猛。 針對微光刻與電子束光刻技術發展圖譜，7月6日，中科院微電子所陳
熱掃描探針光刻技術消除二維半導體材料
?? 二維半導體材料，比如二硫化鉬（MoS2），表現出了諸多新奇的特性，從而使其具有應用于新型電子器件領域的潛力。目前，研究人員常用電子束光刻的方法，在此類僅若干原子層厚的材料表面定域制備圖形化電極，從而研究其電學特性。然而，采用此類方法常遇到的問題之一是二維半導體材料與金屬電極之間為非歐姆接觸，且
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
X射線衍射光學部件的制備及其光學性能表征（一）
陳宜方?????摘要: 綜述了國內外在納米加工X射線衍射光學透鏡方面的研究現狀和最新進展。介紹了作者團隊過去三年在這方面做的工作。針對衍射透鏡關鍵技術，研發了具有大高寬比形貌的電子束光刻基礎工藝；結合金電鍍，提出了納米尺度波帶片的制造技術，并將該工藝成功擴展于分辨率板（Siemens s
X射線衍射光學部件的制備及其光學性能表征（三）
2.4 波帶片透鏡的極限高寬比研究為了實現硬X射線的高效率成像，波帶片透鏡的絕對厚度和大高寬比一直是X射線光學技術發展追求的目標。然而，采用電子束光刻的手段能夠實現的最大高寬比及其影響因素等方面的研究在國內外一直沒有專門報道。本文綜述了我們運用蒙特卡羅模擬法和顯影動力學理論，結合實際電子束光刻的形貌
掃描電鏡下的日常物品，你還認得它們嗎四
這是一個果蠅的復眼（3000x放大）。這是一個誕生在實驗室的迷你雪人。它是目前世界上最小的一個雪人，由3個二氧化硅小球組成，直徑只有0.9微米，利用電子束光刻技術結合在一起。小雪人的手臂和鼻子是鉑制的，而眼睛和嘴則通過聚焦離子束雕刻而成。
幾秒內！顯微鏡投影光刻實現高分辨率制造
最新發表在《光：先進制造》上的一篇新論文中，德國漢諾威萊布尼茨大學科學家開發了一種低成本且用戶友好的制造技術——基于UV—LED的顯微鏡投影光刻（MPP），能在幾秒鐘內以快速高分辨率制造光學元件。這種方法能在紫外光照射下，將光掩模上的結構圖案轉移到光刻膠涂層的基板上。A：采用基于UV—LED的顯
日本電子發布截至3月31日的2020年財報：收入1172億日元
分析測試百科網訊，日本電子（JEOL）發布截止到2020年3月31日的2020年財報，銷售收入1172.43億日元，相比去年1112.89億日元增長5.4%。2019年毛利潤448.65億日元，毛利率為38.27%，運營利潤7.03億日元，相比去年增5.4%，凈利潤為5.389億日元，凈利潤率為4.
滲透壓儀特點的特點
滲透壓儀是一種輔助檢測的科研工具，檢測人體、動物體、植物體的滲透壓，便于了解生物體對所用藥品的吸收狀況。冰點滲透壓儀屬半導體模塊制冷，露點滲透壓儀屬熱電偶加熱。 其中冰點滲透壓儀符合2010版藥典規定，使用較廣泛。
光催化反應儀的特點特點
光催化反應儀又稱為光化學反應儀，多功能光化學反應器，光催化反應裝置，多功能光化學反應儀等。光催化反應儀適合應用于化學合成、環境保護及生命科學等研究領域，光催化反應儀系統具有技術合理、結構簡單、操作便捷、運行穩定、保護人體、自由組合、靈活定做等獨特優勢！光催化反應儀產品特點：1、光催化反應儀電氣控制部
耐折度儀的特點及特點
特點 采用微電腦控制技術，自動化程度高，可同時進行采樣、測控及顯示，測量更準確快速，操作更簡單，使用更方便，測試完畢,自動回到零位功能，采用精密電機伺服控制，定位精確，自動測量、統計、打印測試結果，并具有數據保存功能，中文圖形菜單顯示操作界面，高速微型打印機，使用簡單方便，光機電一體化現代設計
HIT電池的工藝特點及技術特點
HIT電池工藝流程HIT電池的一大優勢在于工藝步驟相對簡單，總共分為四個步驟：制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備。制備的核心工藝是非晶硅薄膜的沉積，其對工藝清潔度要求極高，量產過程中可靠性和可重復性是一大挑戰，目前通常用PECVD法制備。HIT電池的制備工藝步驟簡單，且工藝溫度低，可避免
美開發出DNA石墨烯納米結構
據物理學家組織網4月11日(北京時間)報道，美國麻省理工學院和哈佛大學的科學家，利用DNA構建出具有獨特電子特性的石墨烯納米結構，向大規模生產石墨烯電子芯片邁出了非常重要的一步。該研究成果發表在近期《自然·通訊》雜志上。 科學家通過控制DNA序列，操縱分子形成不同折疊形狀的DNA納米結構，
移液器的特點
2移液桿可360旋轉,不用工具可卸下121℃高溫滅菌。 2符合人體工程學的外型設計。 2符合ISO9000和GLP規定，用戶可獨立校準。數字可調式移液器校準不需要工具。同時有較高的精度和誤差系數。 2吸頭接嘴有獨特的V形圈，可以適合不同品牌的吸頭。 每把多道移液器贈送每支移液器贈送德國
立克次體的特點
立克次體是介于細菌與病毒之間的微生物，具有以下特點：①需在活細胞內生長，在代謝衰退的細胞內生長旺盛；②具典型的細胞壁、有DNA和RNA，呈短小、多形性球桿狀，染色后光學顯微鏡可以查見。③除Q熱、戰壕熱及立克次體痘癥的立克次體外，均與某些變形桿菌（OX19、OX2、OXK株）有共同抗原，故可進行外斐反
馬弗爐的特點
硅鉬棒： 硅鉬棒通常可使用的爐體溫度為1600℃-1750℃，廣泛應用于冶金、玻璃、陶瓷、磁性材料、耐火材料、晶體、電子元器件、窯爐制造等領域、是產品高溫燒結時必備的理想發熱元件。 硅鉬棒在高溫氧化氣氛下，表面生成一層石英保護層防止硅鉬棒繼續氧化。當元件溫度大于1700℃時，石英保護層熔融，
制氮機的特點
1、 工藝特點： （1） 變壓吸附制氮設備具有適用氣源廣、產品純度高、工藝簡單、操作自動化程度高、運行費用低、等特點。 （2） 壓縮空氣凈化組件使用壽命長易更換、易維護。 （3） 制氮設備出口流量大、出口壓力可在設定范圍內調節。 （4） 根據生產情況可隨時開、停車。 （5） 產品氮氣純
吹膜機的特點
基本特點 組適用于吹制低密度聚乙烯(LDPE）、高密度聚乙烯（HDPE）及線性低密度(LLDPE）等塑料薄膜，廣泛用于水果、食品、服裝、紡織品、菌種種植、日用品等民用和工業品的內外包裝。 設計特點 吹膜機主要由擠出機、機頭、模頭、冷卻裝置、穩泡架、人字板、牽引輥、卷取裝置等組成。 擠出機
基因的特點
基因有兩個特點：一是能忠實地復制自己，以保持生物的基本特征；二是在繁衍后代上，基因能夠“突變”和變異，當受精卵或母體受到環境或遺傳的影響，后代的基因組會發生有害缺陷或突變。絕大多數產生疾病，在特定的環境下有的會發生遺傳。也稱遺傳病。在正常的條件下，生命會在遺傳的基礎上發生變異，這些變異是正常的變異。
質譜法的特點
氣體或固體、液體蒸氣的分子受一定能量的電子束轟擊或強電場的作用，失去一個價電子而形成帶正電荷的分子離子；與此同時，分子離子還可進一步發生一些有規律的斷裂，生成各種碎片離子。這些帶有正電荷的離子在電場、磁場作用下按質荷比（用m/z或m/e表示，即離子質量與電荷量的比值）的大小排列、分析，并依次被檢測、