磁光克爾效應磁強計簡介
具有非常高的靈敏度。當薄膜厚度只有納米量級的時候,激光光斑這磨小區域所產生的磁信號改變,都能檢測出來,應該說比上述各種磁強計靈敏度都高。 它們共同的特點是具有較高的靈敏度,主要用來測量靜態磁性,包括技術磁化曲線、磁滯回線,退磁曲線、磁熱曲線,及其中所包含定義的各種參數。如飽和磁化強度Ma,剩余磁化強度Mr,矯頑力Hc,居里溫度Tc,各種磁化率或磁導率,最大磁能積,矩形比等。這些儀器不僅可以測量鐵磁、亞鐵磁性的樣品,而且可以測量抗磁、順磁性的樣品,不僅可以測大塊樣品,而且可以測薄膜等微量樣品,所以在各種磁性功能材料、超導材料、結構化學、地質勘探、生物物理等研究領域里有著非常廣泛的應用。......閱讀全文
磁光克爾效應磁強計簡介
具有非常高的靈敏度。當薄膜厚度只有納米量級的時候,激光光斑這磨小區域所產生的磁信號改變,都能檢測出來,應該說比上述各種磁強計靈敏度都高。 它們共同的特點是具有較高的靈敏度,主要用來測量靜態磁性,包括技術磁化曲線、磁滯回線,退磁曲線、磁熱曲線,及其中所包含定義的各種參數。如飽和磁化強度Ma,剩余
磁光克爾效應簡介
在磁光克爾效應，根據反映的磁材料具有輕微旋轉偏振平面。它類似于法拉第效應下的兩極分化的透光旋轉。
磁光克爾效應的概念介紹
在磁光克爾效應，根據反映的磁材料具有輕微旋轉偏振平面。它類似于法拉第效應下的兩極分化的透光旋轉。
克爾效應簡介
在外電場作用下，液體就成為光學上的單軸晶體，其光軸同電場方向平行。通常的作法是：把液體裝在玻璃容器中，外加電場通過平行板電極作用在液體上，光垂直于電場方向通過玻璃容器，以觀察克爾電光效應。這種裝置稱為克爾盒。這時兩個主要折射率n0與ne，分別稱為正常與反常折射率。容器中的液體稱為正或負雙折射物質，取
克爾磁光效應簡介
克爾磁光效應線偏振光入射到磁化媒質表面反射出去時，偏振面發生旋轉的現象。也叫克爾磁光效應或克爾磁光旋轉。這是繼法拉第效應發現后，英國科學家J.克爾于1876年發現的第二個重要的磁光效應。按磁化強度和入射面的相對取向，克爾磁光效應包括三種情況：極向克爾效應, 即磁化強度 M 與介質表面垂直時的克爾效應
光學克爾效應簡介
光學克爾效應，或AC克爾效應是指其電場由光本身所產生的情況。這導致變異的折射率與輻射光本身的輻照度成正比。這種折射率的變化導致了的非線性光學效應的自聚焦、自相位調制以及調制不穩定性，并且是克爾透鏡鎖模的基礎。此效應僅在非常強烈的光束下才能較明顯的表現出來，比如激光。
克爾效應的概念簡介
在外電場作用下，液體就成為光學上的單軸晶體，其光軸同電場方向平行。通常的作法是：把液體裝在玻璃容器中，外加電場通過平行板電極作用在液體上，光垂直于電場方向通過玻璃容器，以觀察克爾電光效應。這種裝置稱為克爾盒。這時兩個主要折射率n0與ne，分別稱為正常與反常折射率。容器中的液體稱為正或負雙折射物質，取
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
克爾效應介紹
也稱為二次電光（QEO）效應的克爾效應是材料響應于所施加的電場的折射率的變化。 克爾效應與普克爾效應不同，因為誘導的指數變化與電場的平方成正比，而不是線性變化。 所有材料顯示克爾效應，但某些液體比其他液體顯示更強烈。 克爾效應于1875年被蘇格蘭物理學家約翰·克爾（John Kerr）發現。通常考慮
光磁效應簡介
光照射物質后,物質磁性（如磁化率、磁晶各向異性、磁滯回線等）發生變化的現象。早在1931年就有光照引起磁化率變化的報道，但直到1967年R.W.蒂爾等人在摻硅的釔鐵石榴石?(YIG)中發現紅外光照射引起磁晶各向異性變化之后才引起人們的重視。這些效應多與非三價離子的代換有關，這種代換使亞鐵磁材料中出現
克爾效應的概念
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
克爾效應的定義
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
克爾效應理論介紹
克爾電光效應對于非線性材料，電動極化場p只會取決于電場：其中ε0是真空介電常數，?是電極化率的n階的組成部分。“：”符號代表了矩陣之間的內積。我們可以更明確的描述這種關系，第i次組成的向量P可以表示為：式中，i=1,2,3。通常假設?，即部分平行為x的極化場；?等等。材料表現出不可忽視的克爾電光效應
什么是克爾效應？
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
振動樣品磁強計簡介
采用電磁感應原理,測量在一組探測線圈中心以固定頻率和振幅作微振動的樣品的磁矩。對于足夠小的樣品,它在探測線圈中振動所產生的感應電壓與樣品磁矩、振幅、振動頻率成正比。在保證振幅、振動頻率不變的基礎上,用鎖相放大器測量這一電壓,即可計算出待測樣品的磁矩。
磁光效應的應用磁光傳感器
光纖電流傳感器具有很好的絕緣性和抗干擾能力以及較高的測量精度，容易小型化。磁光效應傳感器就是利用激光技術發展而成的高性能傳感器。光纖電流傳感器是根據法拉第效應原理，當一束線偏振光通過置于磁場中的磁光材料時，光的偏振方向發生改變來實現傳感器的功能。磁光效應傳感器作為一種特定用途的傳感器，能夠在特定的環
磁光效應的應用磁光隔離器
隨著光纖通信、光信息處理和磁光記錄等技術的高速發展，光源的穩定性和魯棒性就顯得至關重要。各種反射光都會嚴重干擾光源的正常輸出，從而影響了整個系統的正常工作。磁光隔離器通過防止反向傳輸的干擾光對光源的影響，提高系統的工作穩定性，實現正向通過，反向隔離的目的。
磁光效應的應用磁光調制器
磁光調制器是利用偏振光，通過磁光介質，透射光的偏振面發生旋轉來對光束進行調制的一種工具。磁光調制器可用作紅外檢測器的斬波器，紅外輻射高溫計、高靈敏度偏振計等。磁光調制器的工作原理是將電信號先轉換成與之對應的交變磁場，再由磁光效應改變在介質中傳輸的光波的偏振態，從而達到改變光強等參的目的。
什么是克爾磁光效應？
線偏振光入射到磁化媒質表面反射出去時，偏振面發生旋轉的現象。也叫克爾磁光效應或克爾磁光旋轉。這是繼法拉第效應發現后，英國科學家J.克爾于1876年發現的第二個重要的磁光效應。按磁化強度和入射面的相對取向，克爾磁光效應包括三種情況：極向克爾效應, 即磁化強度 M 與介質表面垂直時的克爾效應;橫向克爾效
克爾效應的理論介紹
克爾電光效應對于非線性材料，電動極化場p只會取決于電場：其中ε0是真空介電常數，?是電極化率的n階的組成部分。“：”符號代表了矩陣之間的內積。我們可以更明確的描述這種關系，第i次組成的向量P可以表示為：式中，i=1,2,3。通常假設?，即部分平行為x的極化場；?等等。材料表現出不可忽視的克爾電光效應
簡介磁強計的相關應用
磁強計是用來測量磁感應強度的傳感器,在工業、農業、交通 運輸、國防、航空航天、海洋、氣象、醫療衛生等領域均有廣泛應用。在地質勘探領域,它可用于地磁場變化監測和地質年代檢測；在醫療衛生領域,它常被用來檢測人體磁場并輔助疾病診斷；在國防上,它可以應用在磁性掃雷、炸彈探測、磁波通訊、磁探針和磁導航；
泡克爾斯效應的定義
泡克爾斯效應（英語：Pockels effect）是指光介質在恒定或交變電場下產生光的雙折射效應，這是一種線性電--光效應，其折射率的改變和所加電場的大小成正比 。
克爾效應實驗的實驗原理
各向同性的介質如玻璃，石蠟，水，硝基苯等，在強電場作用下會表現出各向異性的光學性質，表現出雙折射現象。折射率差與電場強度的平方成正比，稱為克爾效應。在兩平行平板之間加上高電壓，在電場作用下，由于分子的規律排列，這些介質就表現出象單軸晶體那樣的光學性質，光軸的方向就與電場的方向對應。當線偏振光沿著與電
克爾效應實驗的實驗原理
各向同性的介質如玻璃，石蠟，水，硝基苯等，在強電場作用下會表現出各向異性的光學性質，表現出雙折射現象。折射率差與電場強度的平方成正比，稱為克爾效應。在兩平行平板之間加上高電壓，在電場作用下，由于分子的規律排列，這些介質就表現出象單軸晶體那樣的光學性質，光軸的方向就與電場的方向對應。當線偏振光沿著與電
克爾效應實驗的實驗原理
各向同性的介質如玻璃，石蠟，水，硝基苯等，在強電場作用下會表現出各向異性的光學性質，表現出雙折射現象。折射率差與電場強度的平方成正比，稱為克爾效應。在兩平行平板之間加上高電壓，在電場作用下，由于分子的規律排列，這些介質就表現出象單軸晶體那樣的光學性質，光軸的方向就與電場的方向對應。當線偏振光沿著與電
什么是泡克爾斯效應？
泡克爾斯效應（英語：Pockels effect）是指光介質在恒定或交變電場下產生光的雙折射效應，這是一種線性電--光效應，其折射率的改變和所加電場的大小成正比。
泡克爾斯效應的概念
泡克爾斯效應（英語：Pockels effect）是指光介質在恒定或交變電場下產生光的雙折射效應，這是一種線性電--光效應，其折射率的改變和所加電場的大小成正比 。
光學克爾效應的概念介紹
光學克爾效應，或AC克爾效應是指其電場由光本身所產生的情況。這導致變異的折射率與輻射光本身的輻照度成正比。這種折射率的變化導致了的非線性光學效應的自聚焦、自相位調制以及調制不穩定性，并且是克爾透鏡鎖模的基礎。此效應僅在非常強烈的光束下才能較明顯的表現出來，比如激光。