離子源的應用離子束
離子源是用以獲得離子束的裝置。我們知道，在各類離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場將離子從一團等離子體中引出來。這類離子源的主要參數由等離子體的密度、溫度和引出系統的質量決定。屬于這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子源是電子碰撞型離子源，主要用于各種質譜儀器中。此外，離子源還有表面電離源、光致電離離子源、液態金屬離子源等類型。......閱讀全文
離子源的應用離子束
離子源是用以獲得離子束的裝置。我們知道，在各類離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場將離子從一團等離子體中引出來。這類離子源的主要參數由等離子體的密度、溫度和引出系統的質量決定。屬于這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子
離子束的離子源的主要參數
①離子摻雜與離子束改性。從20世紀60年代開始，人們將一定能量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中，形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控制；摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的重復性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在半導體大規模集成電路的生產中已成為重要環節，用離子注入法
簡介離子源離子束的主要參數
①離子束流強 即能夠獲得的有用離子束的等效電流強度，用電流單位A或mA表示。 ②有用離子百分比 即有用離子束占總離子束的百分比。一般來說，離子源給出的總離子束包括單電荷離子、多電荷離子、各種分子離子和雜質元素離子等的離子束。 ③能散度 由于離子的熱運動和引出地點的不同，使得離子源給出的
敘述離子源的應用介紹
① 離子摻雜與離子束改性 從20世紀60年代開始，人們將一定量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中，形成摻雜。摻雜的深度可用改變離子的能量來控制；摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的重復性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在半導體大規模集成電路的生產中已成為重要環節，用離子
聚焦離子束技術（FIB）技術應用
?? 聚焦離子束技術（Focused Ion beam，FIB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實現材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展迅速，而納米加工就是納米制造業的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離
Zeiss－FIB聚焦離子束共享應用
儀器名稱：聚焦離子束 Zeiss FIB儀器編號：16005806產地：德國生產廠家：蔡司型號：Auriga出廠日期：201506購置日期：201603所屬單位：材料學院>材料中心 >電鏡中心放置地點：主樓東配樓11-112固定電話：固定手機：固定email：聯系人：王永力（010-62773015
聚焦離子束在ITO表面缺陷的應用
1. 引言失效樣品為手機顯示屏，具體失效位置在前端IC位置，失效現象是ITO出現出現腐蝕導致顯示異常，如下圖所示，需具體分析失效的原因。?圖1.ITO表面缺陷SEM觀察圖?2. 試驗與結果?圖2.失效位置截面觀察圖圖3.正常位置截面觀察圖圖4.失效位置EDS測試譜圖圖圖5.正常位置EDS測試譜圖圖?
聚焦離子束（FIB）原理及其在失效分析中的應用
隨著集成電路技術的不斷發展，其芯片的特征尺寸變得越來越小，器件的結構越來越復雜，與之相應的芯片工藝診斷、失效分析、器件微細加工也變得越來越困難，傳統的分析手段已經難以滿足集成電路器件向深亞微米級、納米級技術發展的需要。FIB技術的出現實現了超大規模集成電路在失效分析對失效部位的精密定位，是大規模集成
加速離子束的裝置
從離子源獲得的離子束的能量一般從幾百電子伏到幾萬電子伏。因為用高引出電壓方式獲得較高能量的離子束受到擊穿的限制，所以必須使離子在電場和磁場中加速,這類裝置叫做加速器(見粒子加速器) 使用各種加速器可以使離子獲得很高的能量（如幾百吉電子伏），也可以使離子減速，以獲得能量較低的（如幾十電子伏）但流強
聚焦離子束系統知多少？
納米科技是當今國際上的一個熱點。納米測量學在納米科技中起著信息采集和分析的不可替代的重要作用，納米加工是納米尺度制造業的核心，發展納米測量學和納米加工的一個重要方法就是電子束，離子束技術。近年來發展起來的聚焦離子束納米加工系統用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，結合掃描電子顯微鏡實時觀察，開辟了從
北京埃德萬斯離子束刻蝕機共享應用
儀器名稱：離子束刻蝕機儀器編號：07001234產地：中國生產廠家：北京埃德萬斯公司型號：LKJ-ID-150出廠日期：200608購置日期：200701所屬單位：物理系>離子束刻蝕實驗室放置地點：理科樓C-207固定電話：62772764固定手機：13552113513固定email：jiangl
轉荷型和濺射型負離子源的介紹
1、轉荷型負離子源 利用正離子束轉荷產生負離子的裝置。正離子束與固體物質表面相互作用，或通過氣體靶俘獲電子就能轉化成負離子束。正離子束可以由小型雙等離子體離子源提供。如果采用高頻離子源，只要把引出電極的孔道加長，就能得到負離子束。 2、濺射型負離子源 用正離子束去轟擊工作物質，就能得到該種
什么是離子源？
離子源（英文名稱：Ion source）是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。它是各種類型的離子加速器、質譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕裝置、離子推進器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設備的不可缺少的部件。 氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使
聚焦離子束的工作原理
液態金屬離子源離子源是聚焦離子束系統的心臟，真正的聚焦離子束始于液態金屬離子源的出現，液態金屬離子源產生的離子具有高亮度、極小的源尺寸等一系列優點，使之成為目前所有聚焦離子束系統的離子源。液態金屬離子源是利用液態金屬在強電場作用下產生場致離子發射所形成的離子源[1、2]。液態金屬離子源的基本結構如圖
聚焦離子束的工作原理
液態金屬離子源離子源是聚焦離子束系統的心臟，真正的聚焦離子束始于液態金屬離子源的出現，液態金屬離子源產生的離子具有高亮度、極小的源尺寸等一系列優點，使之成為目前所有聚焦離子束系統的離子源。液態金屬離子源是利用液態金屬在強電場作用下產生場致離子發射所形成的離子源[1、2]。液態金屬離子源的基本結構如圖
聚焦離子束的工作原理
?? 液態金屬離子源離子源是聚焦離子束系統的心臟，真正的聚焦離子束始于液態金屬離子源的出現，液態金屬離子源產生的離子具有高亮度、極小的源尺寸等一系列優點，使之成為目前所有聚焦離子束系統的離子源。液態金屬離子源是利用液態金屬在強電場作用下產生場致離子發射所形成的離子源[1、2]。液態金屬離子源的基本結
中國科學家孫良亭獲首屆瑞查得杰勒獎
在美國芝加哥日前舉行的第18屆國際電子回旋共振（ECR）離子源會議上，中國科學院近代物理研究所副研究員孫良亭因其在全永磁ECR離子源技術方面的杰出貢獻，獲得首屆“瑞查得杰勒獎”。?ECR離子源是產生高電荷態強流離子束最有效的裝置，在加速器、核物理、原子物理、表面物理及半導體工業等領域有很廣泛的應用。
離子束切割拋光儀
離子束切割拋光儀是一種用于材料科學領域的工藝試驗儀器，于2018年5月23日啟用。 技術指標 拋光角度: +10° 到 -10° ，每個離子槍可獨立調節 離子束能量: 100 V 到 8.0 kV 離子束流密度: 10 mA/cm2 峰值 拋光速度: 300 μm/h（8.0 kV條件下對于
聚焦離子束（FIB）技術介紹
1.引言?????隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展迅速，而納米加工就是納米制造業的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目
DART離子源
由美國J. Laramee和R. Cody（美JEOL公司）于2005年發明，現由IonSense公司商品化生產、制造和銷售。獲得2005年Pittcon大獎。 DART已廣泛應用于藥物發現與開發（ADME）、食品藥品安全控制與檢測、司法鑒定、臨床檢驗、材料分析、天然產品品質鑒定、及相關化學和
漫談離子源
樣品的離子化是進行質譜分析的重要步驟，如何高效地進行離子化對質譜儀的靈敏度、分辨率等有著重要的影響。?離子源是對樣品進行電離的場所，離子源的主要功能是把中性的原子（或分子）電離成離子，并形成具有一定能量的離子束。不同的質譜儀根據分析用途的不同配備有不同的離子源，這些離子源由于電離方式不同，具有不同的
ICP離子源
使用氬氣作為等離子氣的原因：氬的第一電離能高于絕大多數元素的第一電離能(除He、F、Ne外)，且低于大多數元素的第二電離能(除Ca、Sr、Ba等)。因此，大多數元素在氬氣等離子體環境中，只能電離成單電荷離子，進而可以很容易地由質譜儀器分離并加以檢測。ICP離子源中的物質1）? 已電離的待測元素：As
蘭州重離子加速器首次實現離子源脈沖束注入運行
1月17日至22日，中國科學院近代物理研究所加速器運行團隊，利用超導離子源SECRAL首次為蘭州重離子加速器（HIRFL）提供了約120電子微安的40Ar12+脈沖束（圖1），并成功注入HIRFL儲存環CSR（圖2），實現了束流的加速和累積（圖3），累計運行超過48小時。 Afterglow工
質譜離子源的作用
離子源是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。它是 一種流強大產額高的離子源各種類型的離子加速器、質譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕裝置、離子推進器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設備的不可缺少的部件。 氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質濺
質譜離子源的作用
離子源是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。它是 一種流強大產額高的離子源各種類型的離子加速器、質譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕裝置、離子推進器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設備的不可缺少的部件。 氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質濺
東方超環中性束注入系統成功引出3兆瓦離子束
近日，中科院合肥物質科學研究院等離子體所承擔的大科學工程“東方超環”（EAST）輔助加熱中性束注入系統（NBI）兆瓦級強流離子源分別完成了氫離子束功率3兆瓦（MW）、脈沖寬度毫秒500（ms）的高能量離子束引出實驗，以及束功率1MW、脈沖寬度4s的長脈沖離子束引出實驗。本輪實驗獲
關于電子轟擊離子源的機理介紹
極面約0.2特斯拉的磁鐵如NS相吸放置，離子束通過的中，位置具有較大的場強，由此引起離子束的質量歧視效應（在到選出口縫前由于電子束聚焦磁鐵的影響，離子束已按質荷比偏離，因而輸出的離子流與質量有關）。 在性能要求很嚴的離子源中，在設計和裝配時應充分考慮這一位移量和出射角的變化，用機械方法糾正。有
簡介雙等離子體離子源
在非均勻磁場中工作的一種弧放電離子源它的電極系統和磁系統都經過精心安排,使得放電產生的等離子體發生兩次收縮（幾何箍縮和磁箍縮）。由于引出的離子流強度大、亮度高、而主體結構又比較緊湊，使用十分普遍。 大功率的雙等離子體離子源能產生安培級以上的正離子束，是一種有效的強流離子源。正離子被中和以后，就
離子源加熱的問題
現象：????? 今天我更換5975的離子源，換上一個清洗過的離子源，剛開始抽真空時便嗅到一股強烈的塑料燒焦的味道從MSD中傳出，打開instrument control界面時發現離子源溫度顯示為511攝氏度隨后離子源報錯。放真空后重新安裝離子源后，再抽真空又能嗅到強烈的焦味，檢查真空狀態時仍顯示離
質譜儀離子源的維護
離子源的維護離子源的維護主要是離子源的清洗。這里以目前較為常用的ESI離子源為例，簡單闡述其清洗要點，ESI離子源的清洗非常重要一般情況下，每隔幾天就需對離子源進行一次清洗。各個儀器廠家的ESI離子源雖然存在一定差別，但清洗的方法卻大同小異。首先是離子源的拆卸，每個儀器廠商的離子源耦合到質譜上的方式