分子束外延（MBE）裝置
MBE裝置由樣品進樣室、預處理分析室和牛K竄等組成。竄間用閘扳閥隔開，以確保生長室的超高真空與清潔。 根據MBE系統的幾何結構相應地配置真空系統。根據要求，3個室的真空配置的配置泵的系統并非一樣： (1)進樣室。真空度為1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1.33×10-7Pa段用吸附泵或渦輪分子加離子泵；1.33×10-7Pa時用渦輪分子泵；1.33 x 10-8Pa時用渦輪分子泵或其他泵加閉路循環液氮低溫泵。 (2)預處理分析室。真空度為1 33×10-8Pa，由400L/s抽速的離子泵獲得。 (3)生長室。真空度為1.33 x 10-9Pa。要按生長室的容積大小和所用的生長材料的陣質來配置。用大抽速帶冷阱的特種油擴散泵、大抽速渦輪分子泵、太抽速閉路循環液氮低溫泵、大抽速離子泵等四種泵為主泵，再輔以鈦升華泵。......閱讀全文
分子束外延（MBE）裝置
MBE裝置由樣品進樣室、預處理分析室和牛K竄等組成。竄間用閘扳閥隔開，以確保生長室的超高真空與清潔。 根據MBE系統的幾何結構相應地配置真空系統。根據要求，3個室的真空配置的配置泵的系統并非一樣： (1)進樣室。真空度為1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
分子束外延（MBE)
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備復雜，要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看，當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體，而后是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體，最近正轉向針對Si半導體器件的應用
分子束外延（MBE）的特點
（1）生長速率極慢，大約1um/小時，相當于每秒生長一個單原子層，因此有利于實現精確控制厚度、結構與成分和形成陡峭的異質結構等。實際上是一種原子級的加工技術，因此MBE特別適于生長超晶格材料。 （2）外延生長的溫度低，因此降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應和襯底雜質對外延層的自摻雜擴散影響。
影響分子束外延（MBE）的因素
1、外延溫度 為了引起外延，基片的溫度應達到某一溫度值，即有必要加熱到外延溫度以上，當溫度低于外延溫度時則不能引起外延。而且外延溫度還與其他條件有關，不同條件下的外延溫度是不同的。 2、基片結晶的臂開 在過去的常規研究方面，基片結晶是在大氣下臂開(機械折斷產生結晶面)而后放入真空裝置中來制
分子束外延（MBE）解析及原理
分子束外延技術是在半導體工藝中近十幾年來發展起來的一項新技術，它是在超高真空條件下，類似于真空蒸發鍍把構成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，以一定的熱運動速度，按一定的比例從噴射爐中噴射到基片上去進行晶體外延生長而制備單晶膜的一種方法。簡稱MBE法 分子束外延，就是在超高真空系統中把所需要
分子束外延（MBE）的發展前景
分子束外延自20世紀60年代末在真空蒸鍍的基礎上產生以來，發展十分迅速。其中之一是引入氣態的分子束源，構成所謂化學束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生長InGaAsP等四元材料，或將金屬有機化合物引入分子束源形成所謂金屬有機化合物分子束外延(MOMBE)。這兩項新技術是把MBE
渦輪分子泵分子束外延－MBE－與掃描隧道顯微鏡－STM－聯用
Pfeiffer 分子泵應用于分子束外延 MBE 與掃描隧道顯微鏡 STM 聯用系統 --分析生長晶體表面結構 分子束外延 MBE 是一種晶體生長技術, 將半導體襯底放置在超高真空腔體中, 和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中, 由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能
分子束外延要點解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)簡介 在超高真空環境下， 使具有一定熱能的一種或多種分子 (原子) 束流噴射到晶體襯底 ，在襯底表面發生反應的過程，由于分子在 "飛行"過程中幾乎與環境氣體無碰撞 ，以分 子束的形式射向襯底 ，進行外延生長， 故此而得名。
EpiQuest真空互聯分子束外延系統(金屬）共享
儀器名稱：真空互聯-分子束外延系統(金屬）儀器編號：21028618產地：日本生產廠家：EpiQuest Inc型號：RC2100Me出廠日期：購置日期：2021-11-18所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯放置地點：微電子學研究所南平房實驗室108號固定電話：010-62784044固
EpiQuest真空互聯分子束外延系統(半導體）共享應用
儀器名稱：真空互聯-分子束外延系統(半導體）儀器編號：21028773產地：日本生產廠家：EpiQuest Inc型號：RC2100Se出廠日期：購置日期：2021-11-18所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯放置地點：微電子學研究所南平房實驗室108號固定電話：010-62784044
分子束外延碲鎘汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷嚴重影響面陣器件的有效元數。對用分子束外延法在GaAs襯底上生長的HgCdTe薄膜中的Void缺陷進行了形貌、剖面觀測和能譜分析。襯底表面狀況和HgCdTe生長過程中的Hg/Te束流比及襯底溫度決定了Void缺陷的密度和尺寸。在比較優化的條件下，可將Void缺陷密度降
南方科技大學采購激光氧化還原分子束外延聯合系統
公告信息：采購項目名稱物理系激光-氧化-還原分子束外延聯合系統采購項目（重新采購第1次品目貨物/通用設備/儀器儀表/其他儀器儀表采購單位南方科技大學行政區域廣東省公告時間2022年11月21日 16:40獲取招標文件時間2022年11月22日至2022年11月28日每日上午:8:00 至 12:00
稀磁性半導體的制備方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技術由于其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度的特點，明顯優 于液相外延法和氣相外延生長法，更有利于生長高質 量DMS薄膜。采用低溫分子束外延（LT-MBE）技術， 能夠有效的抑制新相的析出，同時輔助以高能電子衍 射儀（RHEED），監控生長過程中的表面再
半導體所制成高溫連續激射2微米波段銻化物量子阱激光器
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儀器設備預算超3500萬元！復旦大學公開8月政府采購意向
近日，復旦大學公開了2022年8月政府采購意向，本次預算總金額超3500萬元，采購內容包括原子層薄膜氣相沉積系統、超高空間分辨電子束誘導電流譜、高分辨晶體衍射儀、傅立葉紅外光譜儀、紅外探測器高精度測試表征系統、II-VI族化合物半導體分子束外延系統等儀器設備。采購項目名稱采購品目采購需求概況預算
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
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加速離子束的裝置
從離子源獲得的離子束的能量一般從幾百電子伏到幾萬電子伏。因為用高引出電壓方式獲得較高能量的離子束受到擊穿的限制，所以必須使離子在電場和磁場中加速,這類裝置叫做加速器(見粒子加速器) 使用各種加速器可以使離子獲得很高的能量（如幾百吉電子伏），也可以使離子減速，以獲得能量較低的（如幾十電子伏）但流強
納米所與索尼聯合研發半導體材料與器件
6月23日下午，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所與索尼公司半導體材料與器件合作項目啟動簽約儀式在蘇州納米所舉行。研究所所長楊輝代表蘇州納米所與索尼公司高級副總裁熊谷簽訂合作協議，同時，索尼公司將向蘇州納米所提供分子束外延（MBE）裝置的免費使用權。中科院副院長施爾畏，蘇州工業園
分子蒸餾裝置說明
分子蒸餾裝置研發生產銷售以來，具有相應的自己分離技術，伴隨著科技的發展，無錫冠亞分子蒸餾裝置也不斷得到重視，分子蒸餾裝置也不斷得到改進和完善。 靜止式分子蒸餾器是一種簡單、價廉的分子蒸餾設備。工作時，加熱器直接加熱置于蒸發室內的料液，在高真空狀態下，料液分子由液態表面逸出，飛向懸于上方的冷
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靜止式分子蒸餾器是一種簡單、價廉的分子蒸餾設備。工作時，加熱器直接加熱置于蒸發室內的料液，在高真空狀態下，料液分子由液態表面逸出，飛向懸于上方的冷凝器表面，被冷凝成液滴后由餾分罐的漏斗收集。此類分子蒸餾器的主要缺陷是液膜很厚，物料被持續加熱，因而易造成物料的分解，且分離效率較低。 降膜式分子蒸
美科學家發明新同質外延自旋電子石墨烯隧道裝置
美國海軍研究實驗室（NRL）的科學家們已經發明出一種新型室溫條件下電子隧道裝置，這種裝置包括的隧道勢壘和傳輸信道都是由石墨烯構成的。這種功能化的同質外延裝置為自旋電子學石墨烯器件的實現提供了一個簡練的方法。其研究結果發表在雜志ACS納米研究報告。 海軍實驗研究所表明氫化石墨烯是以氫原子結束的
美國稀有同位素束流裝置正式啟動
據美國稀有同位素束流裝置（FRIB）網站2日報道，經過近十年等待，FRIB于5月2日正式投入使用，這臺“身價”9.42億美元的設備是第一個能制造并分析數百種對物理學至關重要的同位素的設施，在其上開展的實驗將進一步揭示原子核的秘密，以及宇宙中的大多數元素是如何產生的。 據英國《自然》雜志網站
美國合成新材料－創磁化密度極值
新興的自旋電子學領域利用電子自旋延長電池壽命，從而增強諸如硬盤驅動器、手機組件等固態設備的性能。不過，自旋電子學的發展正在遭遇被稱為斯萊特—鮑林極限的阻礙。斯萊特—鮑林極限是指一種材料所能包含的磁化強度的最大值。如今，一種新的薄膜有望突破這個持續了幾十年的基準。圖片來源于網絡 近日，一個由美國
質子位移損傷效應模擬試驗裝置建成出束
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鐵磁金屬/拓撲絕緣體異質結中自旋流電荷流轉換效率
自旋流的產生、操作和探測是自旋電子學研究的最基本問題，其中一個關鍵目標是在室溫以上實現電荷流-自旋流的高效轉換。電荷流-自旋流轉換效率與材料中的自旋-軌道耦合密切相關，通過逆自旋霍爾效應（Inverse Spin Hall effect）和逆埃德爾施泰因效應（Inverse Edelstein
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
超快激光超高真空掃描探針顯微鏡系統研制成功并推廣
高精尖科學儀器的獲得是基礎前沿科學探索研究及新發現的最重要因素之一。過去一些年里，我國在超高真空-分子束外延及其相關裝備的研制方面與發達國家存在著巨大差距，成為我國相關領域科學研究、應用開發水平、重大原創性科研成果產生的重要瓶頸和掣肘。 作為研究低維材料和表面科學的重要工具，掃描隧道顯微鏡（S